英特爾EMIB-T良率逼近90% 成本低CoWoS五成

（綜合ETtoday新聞雲、自由時報等2家媒體報導）

外媒《WCCFtech》引述爆料客ImNotHarsh說法指出，英特爾EMIB-T先進封裝良率已接近90%，成本更比台積電CoWoS低約五成。EMIB-T不需使用大面積矽中介層，透過嵌入有機基板的小型矽橋連接晶片，具備結構性成本優勢。

然而，EMIB-T目前面臨基板良率僅約50%的瓶頸，成為量產最大障礙。供應商欣興電子近期表示，EMIB-T仍處於早期階段，首要任務是快速提升產能和良率。基板供應商包括日本揖斐電（Ibiden）、新光電氣（Shinko Electric）、台灣欣興及奧地利奧特斯（AT&S），其中揖斐電被列為主要供應商[1]。

英特爾規劃2027年大規模供應EMIB-T服務，瞄準AI加速器、高效能運算與客製化晶片需求。此外，英特爾也同步加速美國晶圓製造布局，針對俄亥俄州新晶圓廠園區的額外工時發放獎金，目標在2031年啟動14A製程量產[1]。