脈絡更新
（綜合自由時報、ETtoday新聞雲等3家媒體報導）
台積電今日於新竹舉行2026年技術論壇台灣場次，業務開發組織副總經理袁立本揭示先進製程與封裝最新進展。全球最大5.5倍光罩尺寸CoWoS已正式量產，良率達98%，未來五年預計每年更新，以整合更多HBM。2028年將量產14倍光罩尺寸版本，可整合20顆HBM；2029年進一步擴大至超過14倍光罩尺寸，整合24顆HBM。System on Wafer（SoW）技術可整合多達64顆HBM與16個CoWoS，尺寸超過40倍光罩大小，其中純邏輯整合的SoW-P已於2024年量產，結合HBM的下一代SoW-X預計2029年量產。
在先進製程方面，袁立本指出，3奈米（N3）系列將在今年成為公司主要營收來源。2奈米（N2）已於2025年第四季進入量產，晶圓缺陷密度提前兩季達到前一世代標準[2]。目前已有超過25個N2產品設計定案，超過70個客戶設計正在規劃或進行中。N2系列已擴充至N2、N2P、N2X及最新推出的N2U。N2P預計2026年下半年量產，搭載SPR（背面供電）技術的A16也將於同期準備量產；N2X與N2U分別計劃於2027、2028年量產。N2U為N2P改良版，速度提升3%至4%，功耗降低8%至10%，邏輯密度增加2%至3%。
A14製程方面，袁立本表示，A14整合第二代奈米片元件技術與NanoFlex Pro（設計與製程協同優化），相較N2，相同功耗下速度提升10%至15%，相同速度下功耗降低25%至30%，邏輯密度提升約1.23倍，整體晶片密度提升1.2倍。SRAM良率已超過80%，預計2028年量產。A13則在A14基礎上進行3%光學微縮，節省超過6%面積，設計規則與A14完全相同，預計2029年量產。
為因應市場需求，台積電同步在新竹與高雄打造多座「Gigafab Hub」生產基地，預計2026年同時啟動五座晶圓廠[2]。N2第一年晶圓產出將較N3高出45%，未來幾年累積產能增幅上看70%[2]。
在COUPE（Compact Universal Photonic Engine）光學技術方面，全球首款採用COUPE技術的200Gbps調變器已於今年生產，可讓系統能效提升4倍、延遲降低10倍，並規劃2030年前開發出400Gbps調變器，頻寬密度提升8倍；該技術未來將與CPU進行封裝整合，預計可將效能提升10倍、減少20倍延遲[3]。