台積電攜ASML推12吋EUV光罩 2033年量產

（綜合中央社、聯合報、ETtoday新聞雲等5家媒體報導）

台積電與荷蘭半導體設備商ASML於美國時間9月7日在加州蒙特雷BACUS先進微影技術研討會前共同宣布，將推動High NA EUV光罩由現行6吋升級至12吋，目標2031年前建立12吋光罩試產線，2033年實現微影系統全面就緒，支援先進製程量產。

此合作旨在提升晶圓廠生產力、降低晶片製造成本，並消除現行High NA EUV曝光需使用兩張6吋光罩拼接的限制。ASML技術長皮特斯表示，新技術可讓High NA設備產能提高40%，同時簡化設計流程[6]。多家生態系夥伴及供應商已表達參與意願。

台積電董事長暨總裁魏哲家表示，唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的可能。台積電有意自2030年起在先進製程量產中導入ASML的High NA技術，初期仍沿用6吋光罩，後續再轉換至12吋。

ASML總裁暨執行長福克指出，隨元件微縮藍圖推進，High NA EUV採用率將逐步提升，初期沿用6吋光罩，後續導入12吋以提升設備生產力。

三星與英特爾也加入此技術轉變。三星計劃從2028年起將High NA設備用於記憶體生產，英特爾已率先取得設備並導入量產邏輯產品[6]。ASML上週指出，全球已有4家客戶完成10台High NA設備裝機，EXE系統累計曝光突破135萬片晶圓，EXE:5200B生產力已達每小時135片[4]。

台積電約占ASML營收16%，此次轉向積極採用High NA設備，對ASML成長至關重要[6]。

（新增聯合報、中央社、東森新聞等7家媒體報導）

供應鏈股價率先反應

台積電與ASML宣布12吋光罩合作後，光罩族群9日成為盤面焦點，家登（3680）、光罩（2338）雙雙跳空漲停，分別鎖在573元、41.5元。在先進製程持續擴產下，相關耗材供應鏈訂單能見度已由3個月前看到的2027年底，進一步拉長至2028年底；其中氣體、化學品及「二次配」工程服務能見度甚至看到2030年[8]。

輝達GPU尺寸是關鍵推手

半導體專家指出，輝達GPU晶片尺寸越來越大，6吋光罩需兩張拼接已成先進製程痛點，是促使台積電與ASML合作升級12吋光罩的一大關鍵[7]。東森新聞報導則引述專家曲建仲說法，光罩放大後不僅提升產能，未來先進封裝的製作也可望更容易[9]。

三星、英特爾同步推進

三星正式加入12吋光罩產業倡議，規劃2028年前率先將High NA EUV導入DRAM量產[3][1]。SK海力士也在聲明中表示，正在評估參與引進12吋光罩的聯盟，目標同樣是2028年將High NA EUV應用於DRAM量產[2]。

英特爾方面，High NA已應用於Panther Lake部分特定層量產，累計超過100萬片晶圓採用相關製程；Intel 18A部分特定層表現達到甚至超越既有0.33 NA EUV平台[4][3]。

ASML擴廠計畫

ASML計畫在荷蘭興建第二座大型生產園區，占地35公頃，預計2029年完工[9]。