- 瑞銀估中國10年內難追上ASML EUV技術
- 中國技術成熟度約當ASML 2004年水準
- 美國出口限制阻礙中國半導體自給自足
- 中國2至5年內可量產較低階的DUV設備
瑞銀估中國10年內難追上ASML EUV技術
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ASMLEUV中國半導體瑞銀
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(綜合中央社、中時電子報報導)
瑞銀集團(UBS)分析師最新報告指出,中國半導體製造能力未來10年內可能仍難以開發出可替代荷蘭半導體設備商艾司摩爾(ASML)尖端極紫外光(EUV)微影技術的可行方案。
報告根據專利活動判斷,中國目前的技術成熟度約相當於ASML於2004年的水準,即ASML開始量產EUV設備的前15年階段。美國主導的尖端晶片製造設備出口限制,持續阻礙中國透過國家資本實現半導體自給自足的目標。ASML是全球唯一生產先進微影機的廠商,且被禁止向中國出售EUV設備。
儘管EUV技術差距顯著,瑞銀預計中國將在2至5年內具備大規模製造浸潤式深紫外線(DUV)微影機的能力。DUV雖不如EUV先進,仍是晶片製造的關鍵設備。路透社7月底曾引述消息人士證實,中國已開始生產國產DUV設備。
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