三星推CUBE策略 3D記憶體zHBM效能目標增八倍

（綜合中央社、聯合報等2家媒體報導）

三星電子記憶體產品規劃部門副總裁崔璋石（Jangseok Choi）今日於SEMICON Taiwan記憶體高峰論壇宣布，將以「CUBE」策略推進3D記憶體架構，涵蓋新一代zHBM及zNAND-O，分別瞄準AI資料中心與裝置端AI市場。

崔璋石表示，AI產業正由生成式AI邁向代理式AI（Agentic AI），傳統2D架構已面臨瓶頸，透過「Z軸」進行3D整合是釋放下一階段AI運算能力的關鍵。CUBE策略聚焦容量（Capacity）、利用率（Utilization）、頻寬（Bandwidth）及效率（Efficiency）四大面向，藉由垂直堆疊在不增加PCB面積下擴充容量，並縮短邏輯晶片與記憶體間的傳輸距離。

在HBM產品布局上，三星今年5月已開始出貨業界首款12層HBM4E樣品，當單一GPU配置四個HBM4E堆疊時，系統頻寬最高可達每秒16TB；相較HBM4，每瓦效能提升20%，熱阻降低10%。三星也已著手開發HBM5，目標較HBM4E效能提高一倍，每瓦效能再提升20%，熱阻降低20%。

三星揭示突破傳統2.5D架構的zHBM，將記憶體直接堆疊於處理器上方，大幅縮短資料移動距離。相較HBM4E，zHBM效能目標最高提升八倍、每瓦效能提升三倍，熱阻降低75%至90%，藉此突破AI加速器的頻寬及散熱限制。

裝置端AI方面，三星提出3D儲存方案zNAND-O，結合V10 BV-NAND與矽穿孔（TSV）技術，垂直堆疊多個V-NAND晶片，再透過UCIe介面與NPU整合於單一封裝。zNAND-O位元密度可達DRAM的十倍，讀取頻寬為傳統NAND Flash的七倍，計劃2028年啟動樣品供應。新一代V10技術導入鍵合技術，位元密度較前一代提升58%，I/O速度提高33%，功耗下降25%至26%。

三星表示，憑藉記憶體、邏輯晶片、晶圓代工與先進封裝的整合能力，將深化與台灣半導體供應鏈合作，共同推進下一代3D IC發展。