南亞科看好AI推論商機 泰山新廠明年投產

（綜合ETtoday新聞雲、聯合報報導）

工研院今（21）日舉辦「半導體與AI算力永續競爭力論壇」，南亞科技資深副總經理暨永續長吳志祥在會中表示，AI運算重心正由雲端模型訓練轉向地端推論，高頻寬記憶體（HBM）雖仍是大型AI訓練的關鍵元件，但在重視低功耗與快速反應的AI PC、手機及邊緣裝置上並非最佳方案。

為搶攻推論商機，南亞科正開發客製化UWIO DRAM，並結合Wafer-on-Wafer（WoW）等3D IC堆疊技術，將DRAM直接與CPU或ASIC邏輯晶片整合，記憶體頻寬可望提升至HBM的五至十倍，單位位元傳輸能耗則降至HBM的三分之一至十分之一。吳志祥預期，未來一至兩年將有更多3D IC進入市場。

產能布局方面，南亞科泰山新晶圓廠總投資金額上看5,000億元，將導入EUV極紫外光設備，預計明年開出新產能，資本支出也可望突破2,000億元。公司同步推進16奈米（1B）產品，並開發1C、1D及1E等新世代製程，預計每一至兩年導入一個新世代。

吳志祥指出，AI帶動記憶體產業高速成長，今年全球半導體產值可望突破1兆美元，其中DRAM與NAND Flash產值可能超過8,000億美元，記憶體占整體半導體產值比重可能首度突破五成。HBM今年約占整體DRAM位元需求近一成，傳統伺服器DRAM占四成以上，兩者合計已超過一半，排擠手機、PC及消費性電子所需的DRAM產能，造成市場供給不足。

南亞科目前來自AI及AI基礎建設的營收占比已超過二成，公司現有超過40項產品、逾800家客戶。以AI PC為例，單機DRAM容量已由16GB提升至128GB，在全球出貨規模擴大下，將推升DRAM需求持續成長。

節能減碳方面，南亞科透過製程微縮持續降低產品功耗，1C製程相較1A可降低約34%功耗；工廠端全面導入尾氣處理設備及智慧能源管理系統，溫室氣體削減效率達94%，並透過ISO 50001能源管理系統，維持每年約8%至9%的節電成效。

（新增ETtoday新聞雲、中時電子報、自由時報等5家媒體報導）

南亞科高層預測，AI推論時代單顆CPU周邊配置的高密度DRAM數量恐突破200顆，AI PC記憶體容量也將由16GB大幅躍升至128GB[3]。南亞科第二季營收達825.49億元，季增68.2%；DRAM平均銷售價格季增逾60%，毛利率由67.9%升至79.5%，獲利跳升主因為供給受限、報價上漲與高附加價值產品比重提高[4]。全球記憶體大廠在HBM4世代競爭已升級為先進製程、堆疊技術與客戶認證的全面競賽，三星於今年2月宣布HBM4量產，5月提供12層HBM4E樣品；美光則推進針對Nvidia Vera Rubin平台的36GB 12層HBM4，單一堆疊頻寬逾2.8TB/s[4]。此外，美光已向伺服器生態系提供256GB DDR5 RDIMM樣品，最高速度達9200MT/s，單一模組較兩條128GB模組可降低逾40%運行功耗[4]。南亞科預估今年記憶體產值可望達8000億美元，占半導體產值比重上看五成，遠高於過去約三成水準[2]。