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南亞科:記憶體轉為結構增長 先進技術成獲利關鍵

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1C製程AIDRAM南亞科鄒明仁
初始報導
重點摘要
  • 南亞科董座鄒明仁:記憶體產業因AI轉為結構性增長
  • 去年全年稅後淨利66.1億元,每股純益2.13元
  • 1C製程先導產品16Gb DDR5預計下半年完成驗證
  • 今年資本支出上限520億元,加速5A新廠擴建
  • 與合作夥伴開發超高頻寬記憶體,明年上半年貢獻營收
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(綜合中央社、聯合報等2家媒體報導)

記憶體廠南亞科今日召開股東常會,董事長鄒明仁表示,記憶體產業以往屬於景氣循環,因AI需求逐漸轉為結構性增長型態,未來獲利關鍵在掌握先進技術。

鄒明仁指出,自去年第2季起,主要記憶體大廠調整產能配置,終止供應DDR4及LPDDR4,將產能升級至HBM及高容量DDR5模組,導致各類DRAM價格顯著上揚。南亞科去年第3季營運轉虧為盈,單季獲利15.6億元,第4季獲利攀升至110.9億元,全年稅後淨利66.1億元,每股純益2.13元。

展望今年,AI伺服器及一般伺服器對DRAM需求擴大,高階機種搭載高容量DRAM已成趨勢,AI智慧型手機亦提升對高容量LPDRAM需求。整體PC出貨可能微幅下滑,但DRAM搭載量增加,市場需求可望成長。網通產品市況穩健,高價消費型產品需求暢旺。

產品進度方面,南亞科預計今年完成16Gb DDR5微縮版、16Gb DDR4及8Gb/16Gb LPDDR4產品驗證,8Gb/16Gb LPDDR5導入試產。使用1C製程的先導產品16Gb DDR5預計下半年完成驗證;1D製程的先導產品16Gb DDR5將於第2季導入試產。與合作夥伴開發的客製化超高頻寬記憶體,預計明年上半年增加營收。

資本支出方面,因應產能轉進1B製程尾款、5A新廠營建及無塵室設施等,今年資本支出上限為520億元。短期將加速5A新廠擴建,並規劃中長期新廠選址及產能。

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