（綜合聯合報、自由時報等2家媒體報導）
台股6月首個交易日盤中一度大漲近1,200點，衝上45,931.1點歷史新高，記憶體族群成為多頭主力。南亞科（2408）率先攻上漲停，華邦電（2344）改寫歷史新高，力積電（6770）、群聯（8299）、宜鼎（5289）同步創高。
外資大摩近日發布最新報告，大幅修正先前對記憶體偏保守看法，同步調升華邦電、南亞科目標價，並看好旺宏（2337）、力積電等後續表現，皆給予「加碼」評等。大摩指出，DDR4下半年供需缺口由原估14%擴大至19%至20%，主因美光及SK hynix持續將資源轉向DDR5與HBM，使DDR4供給進一步縮減，同時企業級SSD與資料中心需求持續增加。預估DDR4價格第三季還有機會再漲20%，未來二年市場缺口將維持18%至20%。外資將華邦電目標價從100元調高至222元（樂觀可達264元），南亞科目標價由278元調升至380元（最高挑戰805元）[1]。
統計5月以來，廣穎（4973）股價大漲92.54%，力成（6239）上漲86.7%，凌航（3135）上漲84.1%，華邦電勁揚75.95%，力積電上漲70.91%，南亞科大漲61.02%；青雲（5386）、晶豪科（3006）、宜鼎、群聯漲幅均超過三成以上[2]。
籌碼面上，上週三大法人買超力積電34.45萬張（外資買超31.98萬張），華邦電獲買超18.12萬張，南亞科買超8.29萬張，旺宏獲買超8.64萬張[2]。
市場對記憶體產業的投資邏輯正在轉變。法人指出，南亞科未來兩年成長動能包括2027年泰林新廠投產、高階RDIMM產品放量，以及私募策略投資人帶來的綜效。此外，AI伺服器需求催生矽電容（Si-Cap）新商機，法人預估全球矽電容供給缺口將延續至2028年，2026年短缺率可能高達57%，記憶體廠商有望藉此開拓第二成長曲線。力積電被視為受惠代表，其8吋、12吋晶圓產能與EMIB先進封裝布局，加上產品價格同步調升，產能利用率維持高檔[2]。
至於美光維吉尼亞州DDR4擴產計畫，法人認為影響有限，主要為既有廠區升級與產能優化，非新增大量產能，短期不致改變全球供需格局[2]。
（新增聯合報、ETtoday新聞雲、自由時報等7家媒體報導）
記憶體族群6月2日持續強攻，南亞科（2408）連二日漲停，首站上400元關卡，最高達417.5元；華邦電（2344）連三日盤中觸及漲停，收184.5元；威剛（3260）、品安（8088）、商丞（8277）同步亮燈，合計5檔同創歷史天價。力積電（6770）因遭處置，早盤在平盤以下游走，近10點半後翻紅[8][7]。
美系外資最新報告將2026至2028年全球存儲市場總規模預測較3月模型上調37%至53%，美光股價首站上千美元，以1035.5美元作收[8][7]。
廣穎（4973）4月自結每股賺2.66元，年增13200%，惟自今日起列入處置股，終場收平盤156.5元[9]。
南亞科與轉投資補丁科技合作開發客製化記憶體，切入高通智慧行動裝置，高通已將兩家公司公布在記者會背板上[6]。
華邦電矽電容打入三星電機供應鏈，4月自結稅後純益、每股稅後純益年增率皆達21608.78%[8][7]。
TrendForce最新調查指出，2026年第一季一般型DRAM合約價季增93~98%，產業營收季增81%至970億美元；第二季合約價預估季增58~63%，但出貨位元增幅有限[7]。
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