南亞科Q3每股大賺25.4元 毛利率85.7%創新高

（綜合聯合報、壹蘋新聞網等2家媒體報導）

記憶體大廠南亞科（2408）今日召開法說會，公布第三季自結財報，受惠DRAM平均售價（ASP）季增逾60%，單季稅後純益衝上876.27億元，每股純益25.4元，毛利率飆升至85.7%，雙雙改寫歷史新高。

南亞科第三季合併營收1336.49億元，季增61.9%、年增611.7%；營業毛利1144.82億元，毛利率85.7%，較第二季提升6.2個百分點；營業淨利1068.94億元，營益率80%，季增6.3個百分點；稅後純益876.27億元，淨利率65.6%。累計前三季稅後純益達1638.77億元，每股純益49.28元，每股淨值攀升至118.99元。上述數字均為自結，尚未經會計師核閱。

ASP跳升主因部分去年簽訂的低價長期供貨合約（LTA）於6月底到期，7月起改採新合約價格。總經理李培瑛表示，目前DRAM市場仍相當缺貨，第四季ASP仍有上漲空間，毛利率也有機會進一步攀升，顯示這波景氣循環尚未見頂。

AI需求正由HBM、高容量伺服器記憶體擴展至網通、儲存及系統管理等領域，排擠傳統DRAM供給。智慧手機、PC及消費性電子產品因供給不足、價格大漲，部分已被迫降低搭載容量，低階市場甚至開始使用回收DRAM。南亞科AI基礎設施相關應用營收比重已超過20%[2]。

供給方面，全球記憶體業者積極擴產，但新廠建置、設備交期與製程導入都需要時間。南亞科2027年產能增幅有限，林口5A新廠預計年底逐步貢獻產出。新廠預計2027年第一季開始裝機，目標2028年底月投片量3萬片、2030年底提升至5萬片[2]。此外，南亞科規劃於屏東科學園區建置3D晶圓封裝與測試廠，預計2028年底前導入矽穿孔（TSV）、晶圓堆疊等技術[2]。

南亞科目前LTA涵蓋率約50%至70%，合約期限從3個月至3年不等。李培瑛透露，已有不少客戶希望將合約延長至3年甚至更久，目前仍在協商。技術方面，第三代10奈米級製程（1C）預計2027年第一季開始客戶驗證，第四代（1D）、第五代（1E）及EUV技術持續按計畫推進[2]。隨著獲利成長，李培瑛表示，第三季員工獎金將高於第二季。