長鑫新技術震撼 台記憶體股重挫

（綜合東森新聞、聯合報、ETtoday新聞雲等3家媒體報導）

中國長鑫存儲傳出在新型4F² DRAM架構取得進展，計劃於2026年底前推出採用該架構的DDR5伺服器記憶體產品，引發市場對未來供給擴張及產業競爭升溫的疑慮，拖累全球記憶體族群13日全面重挫。

台股記憶體股首當其衝，旺宏重挫9.09%至105元，華邦電跌8.33%至159.5元，群聯一度大跌逾7%失守2000元。南亞科雖於前一日公布第三季亮眼財報，單季稅後純益876.27億元、每股純益25.4元，毛利率衝上85.7%，股價仍不敵賣壓，重挫逾8%至482.5元，失守500元大關[3]。

海外記憶體股同步走弱。三星電子與SK海力士股價雙雙下跌超過5%，南韓KOSPI指數盤中一度重挫4.8%；美光下跌3.9%，SanDisk、希捷等儲存類股全面收低[1]。

法人指出，長鑫存儲規劃推出的4F²架構相較目前主流的6F²架構，理論上可縮小儲存單元面積、提升晶片密度，為後續製程微縮與成本改善提供空間[2]。不過，新架構取得研發進展不代表已具備大規模量產及成本競爭力，後續良率、產能與客戶驗證仍是觀察重點[2][1]。

南亞科總經理李培瑛看好第四季DRAM價格續漲，毛利率有機會再高於第三季；目前長期供貨合約涵蓋率約50%至70%，部分客戶希望將短約延長至3年甚至更久，顯示記憶體供給仍然吃緊[2]。法人預估南亞科2026年及2027年EPS分別為77.85元與133.2元，維持「買進」評等，目標價設定為800元[3]。