長鑫存儲掛牌飆漲 韓國技術外流爭議再起

（綜合中時電子報、自由時報等2家媒體報導）

中國DRAM製造商長鑫存儲（CXMT）7月27日於上海證券交易所科創板掛牌上市，IPO首日股價飆漲逾500%，一度成為中國市值最高的上市公司。野村證券初評「買進」，目標價達人民幣116元，認為隨全球記憶體供應持續吃緊，長鑫存儲可望持續擴張市占率[2]。

長鑫存儲目前為全球第四大DRAM製造商，2025年全球市占率約7.7%。受AI需求帶動記憶體價格飆升，該公司今年第一季營收年增719%至508億元人民幣，上半年營收預估達1100至1200億元人民幣，幾乎是2025年全年營收的兩倍。

然而，長鑫存儲的崛起伴隨韓國技術外流爭議。自由時報報導指出，韓國檢方調查發現，長鑫存儲吸收多名三星電子退休工程師後啟動DRAM研發，並透過合作廠商取得SK海力士製程資訊，於2023年實現10奈米級DRAM量產。首爾中央地方檢察廳2025年12月起訴10名前三星員工，指控其將DRAM關鍵技術外洩給長鑫存儲，涉案者包括三星前高層、現任長鑫存儲研發主管。另有3名三星前員工因洩露尖端DRAM技術遭起訴，被承諾年薪高達30億韓元（約新台幣6510萬元），為原薪資5倍[1]。

韓國檢方估算，僅2024年，三星電子因技術外洩造成的市占流失與價格壓力，銷售額減少約5兆韓元（約33.7億美元）。部分涉案人士已在中國長期滯留，即使遭韓國註銷護照並發布國際刑警紅色通緝，中方仍持續延長其居留資格[1]。

（新增中央社、ETtoday新聞雲、東森新聞等5家媒體報導）

長鑫存儲IPO後首份季度成績單出爐，2026年第二季營收年增716%，為全球成長最快DRAM供應商，市占率約7%居第四位。

## 市占率與競爭格局 Counterpoint Research報告顯示，三星以39%市占率重回DRAM榜首，SK海力士由去年同期39%降至26%，美光以25%緊追。研調機構指出，長鑫存儲若順利利用IPO資金擴產HBM與LPDDR6，一年後市占率將大幅躍升[2]。

## 技術與產品布局 長鑫存儲已在DDR4（含LPDDR4X）領域具備價格話語權，DDR5 64GB以上容量也已量產，技術層次接近國際前三大廠[5]。此外，LPDDR6記憶體研發驗證已接近尾聲[1]。

## 打入國際PC供應鏈 受記憶體價格飆漲影響，傳出惠普、華碩、宏碁部分入門款筆電已少量採用長鑫DRAM，主要集中在非美國市場機型[1]。

## 產能擴張規劃 合肥基地一期月產能12萬片12吋晶圓，二期遠期目標月產20萬片以上；北京基地規劃三座晶圓廠，總月產能目標30萬片。若全數開出，長鑫存儲總月產能將突破50萬片，相當於全球DRAM供給量20-25%[5]。