長鑫G5量產 DRAM市場恐掀波瀾

（綜合聯合報、自由時報等2家媒體報導）

中國DRAM龍頭長鑫科技（CXMT）宣布，其第5代G5技術平台已正式量產，每片晶圓的裸片產出數量較上一代增加至少50%，儲存器電容深寬比達45：1，並將記憶體陣列有源區半間距縮小至11.95奈米，號稱接近「世界上最先進的量產記憶體平台」水平。長鑫副總裁駱曉東表示，目前公司工藝能力已與業界最先進的量產節點相當[2]。

基於G5平台打造的兩款24Gb LPDDR5X產品也已進入規模量產，容量較上一代同類產品提升50%，鎖定中高階智慧手機及便攜式消費電子市場。長鑫表示，在美國持續限制部分先進半導體設備與軟體出口的背景下，公司正加速自主技術及供應鏈布局，持續縮小與三星、SK海力士及美光等大廠的技術差距[2]。

消息傳至PTT後引發熱議，網友紛紛以「完了」、「記憶體大崩盤」等留言調侃近期押注記憶體行情的投資者。不過也有網友認為，單看晶圓產出增幅不足以判斷實際供給衝擊，仍需觀察良率與最終出貨規模[2]。