長鑫存儲傳將跨足NAND 挑戰三星與長江存儲

（綜合民視新聞、聯合報等2家媒體報導）

中國DRAM大廠長鑫存儲（CXMT）傳出正籌備進軍NAND快閃記憶體市場，將與三星電子、SK海力士、美光及中國本土競爭對手長江存儲正面交鋒。路透引述三名知情人士報導，長鑫計畫在北京新廠建立NAND研發產線，並已成立研究院推動相關專案，甚至開始與客戶接洽，包括一家有意將其NAND晶片用於AI系統與超級電腦的初創企業[1]。

目前尚不清楚這條產線何時投產，也無法確定長鑫是否能從研發、試產進一步走向大規模商業量產。

AI伺服器需求強勁，造成全球記憶體供應吃緊，業界估計至少持續到2027年下半年。製造商優先將資本支出投入DRAM與高頻寬記憶體（HBM），限制NAND的產能擴張，加劇短缺。根據TrendForce統計，三星今年第二季以29.3%的市占率穩居全球NAND營收龍頭，SK海力士與美光分居二、三名[1]。

長鑫與長江存儲素有中國記憶體業「雙子星」之稱，原本前者主攻DRAM、後者是NAND，但界線已開始模糊。長江存儲先前也傳出已將低功耗DRAM樣品送到客戶手上，評估進軍長鑫的核心業務。