TrendForce預測2027年記憶體市況分化

（綜合自由時報、聯合報等3家媒體報導）

研調機構TrendForce發布最新記憶體產業研究，預測2027年DRAM與NAND Flash市況將呈現分化。DRAM因HBM持續排擠產能、AI伺服器需求強勁，供需缺口將進一步擴大，價格維持高檔；NAND Flash則因新產能集中釋放、消費性電子需求疲弱，下半年供給轉趨寬鬆，價格恐面臨修正壓力。

TrendForce指出，各大DRAM原廠已提早啟動產能擴充，但多數新廠投片放量落在2027下半年，顯著產出貢獻要等到2028年。加上HBM製造所需晶圓投入遠高於一般型DRAM，新增投片無法等比例轉換為有效位元產出，限制供給成長幅度。2026年DRAM供需差距已落在-1%至-2%，2027年需求增速超越供給，缺口進一步擴大。

需求端由AI伺服器領軍，北美CSP持續擴大資本支出，Intel、AMD新世代CPU平台加速出貨，加上Agentic AI逐步商業化，預估2027年全球伺服器出貨增幅將高於2026年的17%。HBM單機搭載容量提升及SOCAMM等新規格導入，也進一步墊高DRAM用量。從應用結構看，伺服器占全球DRAM位元需求比重，將由2026年的42.2%升至2027年的43.7%；繪圖應用由11.9%增至13.6%；PC占比則由7.4%降至5.6%。

不過，TrendForce也提醒，2026年主要CSP資本支出已處歷史高點，部分業者出現負現金流。若2027年記憶體價格維持高檔，記憶體在整體資本支出占比將進一步升高，是否影響CSP後續投資及採購規劃，仍是市場變數。

NAND Flash方面，2027年各大廠加速轉進高層數產品，新廠產能逐步開出，位元供給增幅預計超越2026年。雖然AI伺服器及高容量企業級SSD需求仍強，尤其QLC SSD將成為主要成長動能，但消費性電子因終端售價上調，買氣仍受壓抑。伺服器占NAND Flash位元需求比重，預估將由2026年的44.2%升至2027年的51.1%，首度過半；PC占比則由14.3%降至11.5%。

TrendForce預期，2027年NAND Flash供需比率將轉為正值，下半年市場可能由緊缺轉向寬鬆。若Agentic AI快速普及、進一步推升高速SSD需求，才有機會重新拉近供需差距。