- 第1季DRAM產業營收季增81%,達970億美元
- 合約價季增93-98%,漲勢加速
- 第2季合約價估續季增58-63%
- Samsung營收季增93.4%,市占升至38.5%
- SK hynix營收季增62.5%,排名第二
- Micron營收季增81.6%,市占22.4%持平
- Nanya營收季增60%,Winbond季增91.4%
- 原廠2026年以製程升級擴張供給,非擴充投片
(綜合中時電子報、聯合報等2家媒體報導)
研調機構TrendForce發布最新記憶體產業調查,2026年第1季因一般型DRAM合約價加速上漲,季增幅度高達93-98%,激勵產業整體營收季成長81%,達970億美元。AI應用由訓練轉向推論,CSP資料中心建置從AI server延伸至通用型server,帶動記憶體採購需求擴大至各容量規格的RDIMM產品。
展望第2季,由於原廠庫存水位極低,新增供給優先提供給AI server使用的大容量RDIMM,難以滿足PC OEM和智慧手機業者需求,預期整體conventional DRAM出貨位元增幅有限。價格方面,因CSP對漲價持開放態度,促使其他客戶跟進以確保供應,預估conventional DRAM合約價季增58-63%。
第1季三大原廠營收表現:Samsung ASP漲幅居首,server DRAM營收占比最高,營收季增93.4%至373.2億美元,市占升至38.5%。SK hynix因HBM合約價下滑抑制漲幅,營收季增62.5%達279.8億美元,排名第二,市占28.8%。Micron營收季增81.6%至217.5億美元,市占22.4%持平。
台廠方面,Nanya庫存大幅去化,DDR4、DDR3合約價顯著上漲,營收季增60%至15.5億美元。Winbond受惠DDR4、LPDDR4出貨擴張,營收季增91.4%至近5.7億美元。PSMC consumer DRAM營收季增29.9%至4,300萬美元,加計代工營收則季增19.3%。
TrendForce指出,供不應求態勢確立,原廠2026年主要藉由製程升級擴張位元供給,投片規模僅能透過生產流程優化小幅上修。
(新增中時電子報、聯合報等3家媒體報導)
本次報導焦點轉向HBM合約價機制與2027年展望。TrendForce指出,三大原廠的HBM年度議價機制使合約價無法及時反映市場季度漲勢,HBM單片晶圓產值已於第1季被DDR5 64GB RDIMM反超,HBM利潤率因此低於該產品[4][3]。原廠正與客戶針對2027年HBM4供應進行談判,為反映供不應求、高製造難度及成本,預計2027年HBM合約價將倍數調漲,原廠握有明確定價主導權[3]。
需求動能方面,2026年HBM需求主要來自AI ASICs容量升級(由96/192GB拉升至216/288GB),NVIDIA Rubin平台單GPU容量持平但出貨量成長;2027年Rubin Ultra將進一步推升單GPU容量至384GB[3]。原廠2025至2027年HBM投片量占整體DRAM投片量估為18%、22%及約30%,HBM位元供給占比則為8%、9%及約13%[3]。
法人預估第2季Consumer DRAM合約價季增45%至50%,NAND合約價季漲70%至75%,下半年NAND漲幅趨緩至季增3%至8%[2]。展望2027年,記憶體市況轉向LTA長約主導,供應商與CSP傾向將DRAM與HBM捆綁銷售,納入預付款、年度參考價格及價格上下限等條款[2]。四大CSP最新2026年資本支出預算已上修至7,250億美元,支撐記憶體價格維持高檔[2]。
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