記憶體漲價潮延續 DRAM合約價估漲兩成

（綜合東森新聞、中時電子報等2家媒體報導）

記憶體漲價潮持續延燒。三星預計第三季上調記憶體合約價平均兩成，DRAM合約價平均漲20%，NAND Flash漲幅更高，上看35%至40%。集邦科技也預估，第三季DRAM與NAND價格可望上漲約15%[1]。瑞銀更指出，DRAM市場供需吃緊狀況至少延續至2028年上半年，缺口難以填補，供需失衡程度為近30年罕見。

HBM（高頻寬記憶體）需求持續推升產業熱度。目前全球HBM供應已全面售罄，記憶體正式轉為賣方市場。HBM售價每GB有機會再調漲3.5至4美元。美系外資預估，利基型DRAM漲價趨勢將延續至明年，AI也帶動NOR Flash需求更加穩健[1]。

各大廠積極擴產。美光砸1.5兆日圓（約93億美元）擴充日本廣島廠產能，未來將生產DRAM，目標後年下半年裝機；同時在美國愛達荷州、紐約再投資1千億美元擴廠。SK海力士預計7月10日在美國納斯達克上市，集資290億美元，為海外公司IPO最大規模紀錄，資金將投入半導體設備與相關投資。三星則受惠此波漲價潮，第二季營業利益有機會年增18倍。