- IDC將DRAM短缺反轉時點由2027下半年延後至2028下半年
- 短缺高峰將落在2027年底，尤其第四季
- HBM與SoCAM至2027年底將占DRAM總產能約35%
- DRAM實際短缺已逾20%，伺服器領域缺口達40%
- DRAM價格今年仍將大幅上漲，2027年維持高檔
- 企業級SSD今年可望年增逾30%，消費級SSD大幅衰退
- 企業若未及早簽訂長約，取得記憶體難度將提高
（綜合中時電子報、壹蘋新聞網報導）
市調機構IDC今（8）日舉辦記憶體產業展望研討會，全球企業基礎架構研究副總裁Soo-kyoum Kim指出，AI已改變記憶體產業結構，DRAM與NAND從消費性零組件轉變為AI基礎建設核心，市場反轉時點由原先預估的2027年下半年延後至2028年下半年。
Soo-kyoum Kim表示，目前記憶體需求主要來自PC、智慧型手機及伺服器三大應用。今年伺服器市場受高物料成本影響，整體出貨大致持平，但AI伺服器、GPU伺服器及ASIC伺服器需求仍強勁，預估2027年可恢復約10%成長。PC與智慧型手機受BOM成本上升影響，今年出貨將衰退約10%，明年僅持平，高階產品需求相對穩健，中低階市場壓力較大。
SSD市場呈現兩極化發展。消費級SSD今年大幅衰退，但企業級SSD受惠AI資料中心建置，出貨優於預期，今年可望年增逾30%，明年仍維持低雙位數成長。
以位元需求觀察，IDC預估2026年DRAM需求將年增22%，2027年仍有20%成長，其中HBM位元需求今年將大增逾60%，伺服器需求也將成長40%以上。IDC並預估，2028年起AI資料中心將進入新一波升級週期，搭配HBM5、DDR6等新技術導入，2030年前DRAM需求仍可維持約10%的低雙位數成長。
NAND方面，整體位元需求增幅高於DRAM，但因HBM帶動DRAM需求更為強勁，NAND供需緊張程度相對較低，未來仍以企業級SSD為主要成長來源。
供給方面，IDC指出，今年全球DRAM晶圓產能約成長8%，明年增幅約20%；NAND新增產能則相當有限。雖然三星、美光、SK海力士持續擴建新廠，但也同步淘汰舊世代產能，2028年前新增供給仍不足以完全滿足市場需求。
Soo-kyoum Kim指出，真正的挑戰在於AI產品大量鎖定產能。預估至2027年底，HBM與SoCAM將占DRAM總產能約35%，加上長期供貨協議（LTA）需求，占比將接近50%，使傳統DRAM供應更加吃緊。因此，即使2027年仍有新廠投產，DRAM短缺仍可能持續惡化，供需缺口將一路延續至2028年。
IDC分析，DRAM位元生產增速已低於需求成長，加上產業庫存幾乎消化完畢，供需缺口將持續擴大；相較之下，NAND仍保有部分庫存，短缺程度相對較低。目前DRAM實際短缺程度已超過20%，伺服器領域供需缺口甚至達40%，NAND短缺約15%。隨HBM4第四季開始大量量產，將進一步排擠標準型DRAM產能，使供應更加緊張。
價格方面，IDC預估，DRAM價格今年仍將大幅上漲，2027年維持高檔，至2028年至2029年間才有機會逐步回歸正常；NAND價格漲勢則相對溫和。
Soo-kyoum Kim認為，AI已使記憶體市場與過去的景氣循環不同，未來產業仍有循環，但將更具韌性。記憶體製造商也將採取策略性供貨，透過長約及位元分配優先供應AI客戶，因此企業若希望確保供貨，提前與供應商簽訂長期供貨協議將愈來愈重要。
Soo-kyoum Kim也在會後問答時強調，短缺將持續惡化，真正高峰將落在2027年底，尤其是2027年第四季。隨HBM與AI伺服器持續排擠傳統DRAM產能，加上長約鎖定大量供給，企業若未及早布局，未來取得記憶體資源的難度將進一步提高。</think>EVENT_NAME: IDC：記憶體短缺高峰延至2027年底 CATEGORY: 科技 TAGS: IDC, DRAM, HBM, 記憶體, AI
（綜合中時電子報、壹蘋新聞網報導）
市調機構IDC今（8）日舉辦記憶體產業展望研討會，全球企業基礎架構研究副總裁Soo-kyoum Kim指出，AI已改變記憶體產業結構，DRAM與NAND從消費性零組件轉變為AI基礎建設核心。市場反轉時點由原先預估的2027年下半年延後至2028年下半年，未來即使進入修正循環，波動也將較過去溫和。
Soo-kyoum Kim表示，目前記憶體需求主要來自PC、智慧型手機及伺服器三大應用。今年伺服器市場受高物料成本影響，整體出貨大致持平，但AI伺服器、GPU伺服器及ASIC伺服器需求仍強勁，預估2027年可恢復約10%成長。PC與智慧型手機受BOM成本上升影響，今年出貨將衰退約10%，明年僅持平，高階產品需求相對穩健，中低階市場壓力較大。
SSD市場呈現兩極化發展。消費級SSD今年大幅衰退，但企業級SSD受惠AI資料中心建置，出貨優於預期，今年可望年增逾30%，明年仍維持低雙位數成長。
以位元需求觀察，IDC預估2026年DRAM需求將年增22%，2027年仍有20%成長，其中HBM位元需求今年將大增逾60%，伺服器需求也將成長40%以上。IDC並預估，2028年起AI資料中心將進入新一波升級週期，搭配HBM5、DDR6等新技術導入，2030年前DRAM需求仍可維持約10%的低雙位數成長。
NAND方面，整體位元需求增幅高於DRAM，但因HBM帶動DRAM需求更為強勁，NAND供需緊張程度相對較低，未來仍以企業級SSD為主要成長來源。
供給方面，IDC指出，今年全球DRAM晶圓產能約成長8%，明年增幅約20%；NAND新增產能則相當有限。雖然三星、美光、SK海力士持續擴建新廠，但也同步淘汰舊世代產能，2028年前新增供給仍不足以完全滿足市場需求。
Soo-kyoum Kim指出，真正的挑戰在於AI產品大量鎖定產能。預估至2027年底，HBM與SoCAM將占DRAM總產能約35%，加上長期供貨協議（LTA）需求，占比將接近50%，使傳統DRAM供應更加吃緊。因此，即使2027年仍有新廠投產，DRAM短缺仍可能持續惡化，供需缺口將一路延續至2028年。
IDC分析，DRAM位元生產增速已低於需求成長，加上產業庫存幾乎消化完畢，供需缺口將持續擴大；相較之下，NAND仍保有部分庫存，短缺程度相對較低。目前DRAM實際短缺程度已超過20%，伺服器領域供需缺口甚至達40%，NAND短缺約15%。隨HBM4第四季開始大量量產，將進一步排擠標準型DRAM產能，使供應更加緊張。
價格方面，IDC預估，DRAM價格今年仍將大幅上漲，2027年維持高檔，至2028年至2029年間才有機會逐步回歸正常；NAND價格漲勢則相對溫和。
Soo-kyoum Kim認為，AI已使記憶體市場與過去的景氣循環不同，未來產業仍有循環，但將更具韌性。記憶體製造商也將採取策略性供貨，透過長約及位元分配優先供應AI客戶，因此企業若希望確保供貨，提前與供應商簽訂長期供貨協議將愈來愈重要。
Soo-kyoum Kim在會後問答時強調，短缺將持續惡化，真正高峰將落在2027年底，尤其是2027年第四季。隨HBM與AI伺服器持續排擠傳統DRAM產能，加上長約鎖定大量供給，企業若未及早布局，未來取得記憶體資源的難度將進一步提高。
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