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美光CEO:記憶體短缺延續至2026年後

已沉寂
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DRAMHBM梅羅特拉美光記憶體
初始報導
重點摘要
  • 美光CEO預估記憶體短缺將持續至2026年之後
  • 大規模新產能釋放至少要等到2028年
  • 美光在美投資高達2000億美元,擴建多座廠區
  • 對核心客戶需求滿足度約50%至三分之二[2]
  • 美光今年股價已漲逾163%[1]
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(綜合今日新聞、自由時報等2家媒體報導)

美光科技執行長梅羅特拉(Sanjay Mehrotra)22日在維吉尼亞州記憶體廠擴建活動上接受彭博訪問時表示,全球記憶體短缺將持續至2026年之後,且真正大規模新產能釋放要等到2028年。

梅羅特拉指出,美光正與客戶努力達成長期供應協議,以確保供應的可預期性。目前對核心客戶需求的滿足度約達50%至三分之二,他強調在維持行業紀律下穩健有序釋放產能至關重要,此話被解讀為控制擴產量以掌握價格、避免泡沫[2]。

美光計劃在全美投資高達2000億美元,包含愛達荷州兩座廠區,第一座預計明年年中開始產出,第二座落在2028年底;紐約州也規劃四座廠,屆時能將美國本土產量由一成拉至四成[2]。梅羅特拉警告,僅建造廠房就要耗時數年,設備安裝也需要時間。

記憶體需求飆升使美光今年以來股價漲逾163%。美國商務部長盧特尼克曾警告,若三星與SK海力士沒有擴大美國產能,恐面臨100%關稅[1]。

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