- 三星COMPUTEX首度公開HBM4E晶圓與晶片
- HBM4E支援最高14Gbps傳輸速度,容量較前代提升30%
- 首度亮相瞄準HBM5的HPB熱管理架構
- HPB技術已在HBM4E完成驗證,HBM5正式導入
- 展示因應NVIDIA Vera Rubin平台的AI記憶體與儲存產品
(綜合ETtoday新聞雲、壹蘋新聞網報導)
三星於COMPUTEX 2026以「整合式AI半導體解決方案」為主題參展,展示橫跨記憶體、晶圓代工、邏輯晶片與先進封裝的IDM模式,並首度公開次世代HBM4E晶圓與晶片,以及瞄準HBM5世代的HPB(Heat Path Block)熱管理架構。
HBM4E由三星1c DRAM製程的核心晶粒與4奈米晶圓代工的基礎晶粒結合而成,可穩定支援每Pin最高14Gbps傳輸速度,未來可擴充至16Gbps,整體頻寬最高達4TB/s。容量方面,HBM4E較前代提升超過30%,可提供32GB至64GB配置。
隨著AI加速器功率密度提升,散熱成為關鍵課題。三星指出,HBM中負責與外部GPU超高速資料傳輸的D2D PHY是主要發熱來源之一。HPB技術即在該區域新增獨立熱傳導路徑,讓熱能更有效向外散發,藉此降低熱阻並提升系統穩定性。三星已在HBM4E完成HPB技術驗證,並計畫從HBM5開始正式導入。
三星也展示因應NVIDIA Vera Rubin平台需求的產品組合,包括HBM4、SOCAMM2,以及PM1763、PM1753與PM9D3a等AI最佳化SSD。其中,PM1763預計將搭載於NVIDIA VR200 GPU伺服器作為本機SSD使用。三星表示將持續深化與NVIDIA的合作。
本事件已沉寂,相關脈絡見「相關事件」