SK海力士HBM4E送樣 緊追三星搶AI記憶體

（綜合今日新聞、ETtoday新聞雲、聯合報等3家媒體報導）

韓國記憶體大廠SK海力士今（18）日宣布，已向主要客戶交付新一代高頻寬記憶體（HBM）產品HBM4E的12層樣品，正式進入客戶驗證階段，並將與合作夥伴加速推進量產。

SK海力士表示，12層HBM4E在性能與能源效率上均有提升，每針腳（pin）最大資料處理速度可達16Gbps，能源效率比上一代提升超過20%，有助於增強AI訓練與推理的資料處理能力。聯合報另指出，該晶片採用先進MR-MUF封裝技術，熱阻降低17%，穩定性也獲得提升[1]。

SK海力士開發總管（CDO）社長表示，公司憑藉市場領先的技術能力與製造專長，以HBM4E為鞏固AI領域領導地位奠定基礎。競爭對手三星電子已於5月底搶先向客戶提供12層HBM4E樣本，在供應輝達（NVIDIA）等晶片設計商的競賽中奪得先機。

受此利多消息激勵，SK海力士股價延續強勢，在連續5個交易日累計大漲24.2%後，11日盤中一度再漲5.6%至264.2萬韓元，改寫歷史新高，今年以來累計漲幅已超過3倍[2]。