SK海力士與SanDisk公布首個HBF標準

（綜合ETtoday新聞雲、聯合報等2家媒體報導）

南韓SK海力士與SanDisk共同公布業界首個高頻寬快閃記憶體（High Bandwidth Flash，HBF）標準規格，鎖定AI推論快速成長帶來的龐大資料處理需求。兩家公司於2025年8月啟動標準化合作，今年2月成立HBF聯盟，約半年後即完成首版標準規格[1]。

HBF被定位為介於高頻寬記憶體（HBM）與固態硬碟（SSD）之間的新型記憶體層，運用NAND Flash擴大儲存容量，同時提供接近HBM的高速資料傳輸能力，希望兼顧頻寬、容量及成本。隨著AI由模型訓練逐步擴大至推論應用，單靠HBM雖能提供高頻寬，卻受容量及成本限制；傳統SSD容量較大，但傳輸速度難以滿足高效能AI運算需求，HBF因此被視為填補兩者落差的技術。

首版規格中，HBF支援8層及16層NAND晶粒堆疊，容量最高可達512GB；頻寬依效能分為Grade 1至Grade 3三個等級，傳輸速度約從0.4TB/s延伸至3TB/s[1]。處理器連接採用開放式晶粒互連標準UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express），可與GPU、CPU及其他運算晶片彈性整合。規格已透過開放運算計畫（OCP）對外公布，採取全產業皆可使用的開放標準[1]。

目前Google及AI晶片新創Tenstorrent均已加入HBF聯盟[1]。SK海力士將於8月4日至6日在美國加州聖塔克拉拉舉行的「FMS 2026」大會，透過專題演講、座談及現場展示，說明HBF如何突破AI時代的記憶體瓶頸。SK海力士解決方案開發負責人Kim Chun-sung表示，隨AI應用迅速普及，整體資料處理架構已來到必須重新設計的階段，希望透過HBF擴展記憶體與儲存之間的界線[1]。

此外，SK海力士也將於大會首度公開正在開發的第十代（V10）375層4D NAND晶圓及相關產品，相較前一代每瓦效能提高2.5倍，規劃明年初開始量產採用該技術的企業級SSD（eSSD）[1]。