- 三星率先向客戶發送12層HBM4E樣品
- 新晶片速度較HBM4提升逾20%
- 採用第6代10奈米級1c DRAM及4奈米邏輯晶片
- 三星於2月啟動HBM4量產,HBM4E送樣提前達標
- SK海力士目標2027年量產HBM4E,今年下半年送樣
(綜合自由時報、聯合報等2家媒體報導)
南韓三星電子週五(29日)宣布,已開始向客戶發送業界最先進的12層結構HBM4E晶片樣品,為該類產品首次出貨,在供應輝達等AI晶片商的關鍵零組件競賽中搶佔先機。
三星表示,新晶片運算速度較前一代HBM4提升逾20%,採用最新的第6代10奈米級1c DRAM,搭配三星4奈米代工基底邏輯晶片。三星於今年2月啟動HBM4量產,原規劃第2季送樣HBM4E,此次提前達標,顯示HBM市場快速發展。
三星客戶涵蓋超微、輝達和Google等AI龍頭企業。競爭對手SK海力士則在4月表示,目標2027年量產HBM4E,並計劃今年下半年向客戶供應樣品。
本事件已沉寂,相關脈絡見「相關事件」