SK海力士砸40億美元 美國新廠2029年量產AI晶片

（綜合中央社、聯合報等2家媒體報導）

韓國晶片大廠SK海力士（SK Hynix）宣布，將在美國印第安納州西拉菲葉特（West Lafayette）投入逾40億美元建廠，預計2029年第3季量產次世代HBM4E晶片。該廠位於普渡研究園區（Purdue Research Park），將成為美國重要的高頻寬記憶體（HBM）生產基地。

SK海力士執行長郭魯正（Kwak Noh-Jung）表示，新廠區預計2028年下半年開始無塵室作業，最終每年能處理數十萬片晶圓。廠區將設有次世代HBM封裝產線及AI半導體研發設施，目標是在美國打造先進記憶體供應鏈。此舉是為了讓生產基地更靠近輝達（Nvidia）、微軟（Microsoft）與Google等主要客戶。

SK海力士預期，目前記憶體晶片短缺的情況將持續到2030年底。郭魯正認為記憶體景氣循環短期內幾乎沒有反轉跡象。主要客戶輝達預測下一財年營收將增加70%，凸顯AI運算需求不減。

根據市調機構Counterpoint Research，SK海力士今年第1季在全球HBM市占率達58%，遠領先三星電子（Samsung Electronics）與美光科技（Micron Technology）的21%。

新廠區與相關供應鏈投資預計在當地創造約7000個直接、間接就業機會。美國政府已於2024年12月依「晶片法案」（CHIPS Act）敲定4億5800萬美元補助及上限5億美元貸款。此外，SK海力士董事會本月稍早核准2031年以前約383億美元的投資計畫，其中韓國晶片製造廠第2階段擴建約占248億美元。