SK海力士洽購英特爾俄亥俄園區 五年內在美生產記憶體

（綜合自由時報、聯合報等2家媒體報導）

南韓記憶體大廠SK海力士傳出正洽談收購英特爾位於美國俄亥俄州的半導體園區，目標在五年內於美國境內生產記憶體晶片。此舉被視為回應川普政府要求半導體企業擴大在美投資的壓力。

據南韓《中央日報》報導，SK海力士已啟動內部審查及政府核准程序，雙方仍在協商交易金額與時程。熟悉內情人士透露，收購相關的實際程序正在推進中[2]。

該園區位於俄亥俄州新奧爾巴尼，占地約405萬平方公尺，規模足以容納八座晶圓廠。英特爾2022年動工，原定2025年前完成第一階段兩座工廠並投產，但因先進製程突破不順、客戶轉單台積電，加上晶圓代工部門持續虧損，去年宣布大規模裁員與削減資本支出，將投產時間延後至2030至2031年。

對SK海力士而言，收購已完成基礎工程的園區，可快速取得美國製造基地；對英特爾而言，則可出售資產獲得資金，為晶圓代工事業挹注現金流。SK集團董事長崔泰源日前表示，記憶體晶片價格異常偏高，需要增加供給，不僅在韓國，也需在美國建設半導體工廠[2]。

此前，川普政府持續要求三星電子與SK海力士擴大在美投資。三星正投資約370億美元在德州泰勒興建晶圓代工廠，預計2027年投產；SK海力士則投資約38.7億美元在印第安納州興建HBM封裝廠，目標2028年投產。美國商務部長盧特尼克7月10日出席美光活動時表示，希望韓廠在美國境內建置涵蓋DRAM等記憶體前段工程的設施。