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SK海力士洽談英特爾 擬赴美生產記憶體

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SK海力士俄亥俄州美國英特爾記憶體晶片
初始報導
重點摘要
  • SK海力士與英特爾洽談,擬首次在美生產記憶體晶片
  • 方案包括租用英特爾俄亥俄州廠或成立合資公司
  • 磋商仍處於探索階段,尚未做出決定
  • 南韓政府可能反對在美生產先進記憶體
  • 美國威脅對未在美生產的晶片開徵100%關稅
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(綜合聯合報、中央社等2家媒體報導)

路透社引述3位知情人士報導,韓國記憶體大廠SK海力士正與英特爾洽談協議,擬首次在美國生產記憶體晶片。目前討論的方案包括:SK海力士租用英特爾俄亥俄州廠的部分土地,或與英特爾及其他雲端大廠成立合資公司。

知情人士強調,磋商仍處於探索階段,尚未做出任何決定。路透社未能獲悉若達成協議,SK海力士將在俄亥俄州生產哪種記憶體(如DRAM、NAND flash或HBM)。

SK海力士聲明表示,正在評估包括建立更多生產基地在內的各種措施,以加強競爭力,但目前未敲定任何事項。英特爾拒絕評論,稱相關消息為臆測。

若SK海力士在美生產先進記憶體(如HBM或DRAM),恐遭南韓政府反對,因其被視為敏感科技。南韓貿易官員表示,若涉及「國家核心技術」,須經產業技術保護法審查。SK海力士面臨兩難:南韓政府敦促其加速投資國內晶片園區,美國則威脅對未在美生產的晶片開徵100%關稅。

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