SK海力士擬委由英特爾代工HBM基礎晶片

（綜合ETtoday新聞雲、聯合報等2家媒體報導）

南韓記憶體大廠SK海力士據傳正考慮委託英特爾生產高頻寬記憶體（HBM）的基礎晶片（base die），以分散代工來源，降低對台積電的單一供應商依賴。此舉最快可能從第七代HBM4E開始實施。

目前SK海力士已在第六代HBM4採用台積電先進製程生產客製化基礎晶片。然而，台積電因AI與高效能運算需求激增導致產能吃緊，且計劃自2027年起將7奈米以下先進製程及部分12、16、28奈米製程價格調漲5%至10%，促使SK海力士尋求第二供應商。

對英特爾而言，SK海力士若成為重要外部客戶，將有助其扭轉代工業務頹勢。英特爾正寄望於1.8奈米18A先進製程帶動代工部門轉虧為盈，今年第2季外部客戶僅占其代工事業58億美元營收的5%（約2.93億美元）。英特爾6月延攬前SK海力士執行長李錫熙出任代工事業資深副總裁，負責先進封裝與後端製程，被市場視為雙方合作升溫的重要訊號。

此外，此合作也與SK海力士的美國本土化策略相輔相成。該公司在印第安納州興建先進封裝廠，已於8月27日動土，預計2029年下半年量產下一代HBM。英特爾則在亞利桑那與俄亥俄州營運晶圓廠，作為先進製程核心基地。