三星發表400層堆疊AI記憶體

（綜合中央社、聯合報等2家媒體報導）

韓國三星電子在美國加州聖克拉拉舉行的「記憶體與儲存未來」（FMS）年度大會上，發表新一代AI記憶體技術V10 Bonding V-NAND（BV-NAND）晶片原型。該晶片採用超過400層堆疊結構，並導入全新晶圓鍵合技術，以提升儲存密度與工作效能。

三星表示，BV-NAND的記憶體密度較前一代V9 NAND提高約58%，同時改善讀取、寫入和輸入／輸出效能，以滿足AI系統對更大容量、更節能儲存設備的需求。

隨著AI工作負載已從訓練大型語言模型（LLM）擴展至處理使用者查詢並生成回覆的推論階段，市場對高容量NAND記憶體的需求持續增加。NAND快閃記憶體主要用於儲存智慧型手機等裝置中的照片、影片及應用程式。

三星也展示其所稱業界首創的zHBM和zNAND-O架構概念模型，勾勒下一代3D記憶體的發展願景。不同於傳統高頻寬記憶體（HBM）與AI處理器並排配置，三星的zHBM是將記憶體垂直堆疊於AI加速器上方，藉此縮短資料傳輸距離，提高頻寬並改善能源效率。三星表示，其晶圓鍵合技術可讓記憶體密度達到傳統HBM5的10倍以上，能源效率提高3倍，並將熱阻降低逾一半。

三星上週表示，與客戶簽訂的長期供應協議，未來可能占其記憶體銷售額的60%至70%，凸顯AI需求的韌性。花旗分析師上個月報告指出，儘管市場擔心終端需求可能放緩，但DRAM與NAND供應鏈的庫存水準目前仍遠低於歷史平均。