- 三星投資39兆越南盾(約465億台幣)在越南蓋首座晶片測試廠
- 新廠位於河內以北約60公里,預計2027年11月投產
- 主要測試傳統製程記憶體晶片,年產能1533億Gb DRAM及2556億Gb NAND
- 該投資已於今年3月獲越南批准,三星計劃再投資25億美元蓋第二廠
- 至少200名三星工程師自4月起已在現場工作
(綜合中央社、中時電子報、自由時報、聯合報等4家媒體報導)
南韓三星電子計劃在越南投資39兆越南盾(約新台幣465億元),興建首座半導體測試廠。根據提交給地方政府的提案文件,該廠已於河內以北約60公里的工業園區動工,預計2027年11月投產,以緩解AI需求飆升造成的全球記憶體晶片短缺問題。
新廠主要專注傳統製程晶片(legacy chips)測試。這類晶片在AI供應鏈中重要性較低,但因大廠產能轉向AI晶片,手機、電腦與汽車等產業同樣面臨供應緊張[3]。環評文件顯示,該廠年產能預計達1533億Gb的DRAM及2556億Gb的NAND快閃記憶體。
文件指出,此投資已於今年3月獲越南當局批准,三星並計劃將該計畫所獲利潤再投資,上限約25億美元,用於興建第2座工廠[2][1]。消息人士透露,至少自今年4月起,已有200多名三星工程師和員工在現場工作[2][1]。路透記者本週也在現場看到大型機具與工人,警衛證實當地將興建三星半導體工廠[2][1]。
三星目前是越南最大外國投資者,數十年來已在當地投資逾230億美元。新廠位置鄰近三星智慧型手機和平板電腦的大型生產基地。對於上述報導,三星拒絕發表評論[3]。
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