HBM短缺 輝達評估調降Rubin Ultra規格

（綜合ETtoday新聞雲、自由時報等2家媒體報導）

由於DRAM供不應求格局預估將延續至2027年，且高頻寬記憶體（HBM）驗證與量產存在變數，輝達（NVIDIA）自2026年第三季起，已對下一代AI晶片Rubin Ultra的HBM配置進行重新評估，從原本的HBM4e 12hi基準設計，改為並行評估HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi等多項較低規格，目前尚未定案。

TrendForce指出，輝達此舉主要為應對兩項供給瓶頸：一是2027年整體DRAM供應持續緊缺，限制原廠可分配給HBM的晶圓產能；二是HBM4e 12hi的驗證與量產良率提升進程仍存在不確定性。若最終決定調降規格，預期將從調整堆疊層數著手。此外，輝達日前也已因LPDDR5X短缺，決定將次世代Vera Rubin Superchip模組的SOCAMM容量減半。

不僅輝達，部分雲端服務供應商（CSP）也正考慮調降下一代自研ASIC的HBM容量設計[2]。

自由時報引述BusinessKorea報導，SpaceX執行長馬斯克在近期財報會議中直言：「記憶體產量年增20%，但需求卻以超過200%的增速爆炸性成長」，凸顯供需失衡的嚴峻程度[1]。三星電子與SK海力士均預期明年供需差距將比今年更嚴峻，記憶體需求擴大的趨勢不會減弱。

TrendForce預估，2027年HBM出貨位元將年增50-60%，仍不足以支應需求端成長。在供不應求格局下，HBM議價權偏向供應商，單位價格大幅上漲已成產業共識。AI晶片廠商面臨供給量緊縮與採購成本提高的雙重壓力，採用較低容量HBM的動機隨之增強。