台積電COUPE微環調變器2026年量產

（綜合聯合報、東森新聞等2家媒體報導）

台積電於14日舉辦技術論壇，宣布多項技術突破。其中，搭載緊湊型通用光子引擎（COUPE）技術的全球首個200Gbps微環調變器（MRM）將於2026年正式進入量產，並實現低於1E-08的位元誤差率。

台積電表示，COUPE技術整合共同封裝光學（CPO）解決方案，與傳統銅線相比，基板上搭載COUPE的CPO可提供4倍的功耗效率，並減少90%的延遲；若在中介層上使用該技術，效能更可提升至10倍功耗效率與95%的延遲縮減。台積電也預告，將持續擴展至400Gbps調變器與多波長技術，目標在2030年實現4Tbps/mm的頻寬密度。

在非揮發性記憶體方面，台積電宣布正加速朝向MRAM與RRAM發展，製程從40/28/22奈米縮小至16/12奈米。目前40/28/22奈米的RRAM已自2022年起量產，12奈米RRAM已準備好進行客戶設計定案。22奈米MRAM已穩定生產，16奈米版本則進入設計定案階段，12奈米MRAM預計於2026年底前就緒。

此外，台積電也宣布推出業界首個FinFET高壓平台N16HV，用於可折疊/輕薄OLED與AR眼鏡，相較於N28HV，可將閘極密度提高41%，並為高階智慧型手機減少功耗35%[1]。

東森新聞報導則指出，台積電在論壇中預估半導體市場今年將提前跨越1兆美元大關[2]。