- 台積電CoPoS鎖定310×310mm基板,2027年試產、2028下半年量產
- 下一階段玻璃基板量產時程估落在2030年後
- TGV製程面臨雷射能量、裂紋、蝕刻及對位精度等挑戰
- 面板廠已在PMIC與RF等FOPLP實現量產,尺寸達620×750mm
- 本土特化廠推低溫介電層材料,設備商兩階段鑽孔已獲IDM驗證[4]
(綜合中央社、自由時報、聯合報等3家媒體報導)
市調機構集邦科技(TrendForce)最新分析指出,台積電短期聚焦CoPoS(Chip-on-Panel-on-Substrate)先進封裝技術,鎖定310×310毫米基板尺寸,2026年為相關設備與材料商的驗證關鍵期,預計2027年進入試產,規劃2028下半年正式量產。下一階段布局重點將轉向玻璃基板(Glass Core Substrate),合理量產時程推估落在2030年後。
玻璃基板技術突破目前仍面臨多重挑戰。核心製程玻璃通孔(TGV)需克服雷射能量不穩定導致孔徑一致性不足、鑽孔產生的細微玻璃裂紋、蝕刻液難以深入10微米孔徑影響導通效果,以及大規模量產下的動態對位精度等問題。材料端方面,基板尺寸放大至500×500毫米以上後,維持整面奈米級平整度的難度大幅提升;多層異質材料堆疊下的熱膨脹係數不匹配,也可能引發翹曲,影響曝光對位精度與整體良率。
在此背景下,集邦指出台灣面板廠具備先發優勢。目前已有面板廠在電源管理IC與射頻晶片等成熟製程的FOPLP上實現量產,封裝尺寸達620×750毫米,不僅發揮折舊完畢大尺寸面板產線的剩餘價值,也創造額外現金流。面板廠多年積累的大尺寸方形玻璃搬送、對位與均勻沉積技術,是邁向TGV等核心基板加工技術的重要基礎,與半導體廠及封測廠商存在清晰的差異化與互補空間。
台灣本土面板相關材料與設備廠商亦在關鍵環節布局。材料端,特化廠商推出低溫固化介電層材料,將製程溫度壓至攝氏180度以下,從源頭減少熱應力累積、降低翹曲風險。設備端,有廠商採用先以雷射改質、後再蝕刻的兩階段鑽孔製程,相較傳統直接雷射燒蝕更能精準控制10微米以下孔形,已通過國際整合元件製造廠(IDM)驗證,出貨量逐步提升。
集邦認為,台灣面板廠的大尺寸玻璃加工工藝若能與半導體大廠在先進封裝與製程整合上的優勢結合,輔以本土材料與設備供應鏈支撐,並順應台積電持續推進在地化採購的政策,有望壓縮玻璃基板技術成熟的學習曲線,為台灣面板產業找到轉型升級方向[2]。
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