黃崇仁：力積電WoW技術全球領先

（綜合ETtoday新聞雲、聯合報報導）

力積電14日召開法人說明會，董事長黃崇仁親自主持，強調公司已從傳統成熟製程代工轉型為涵蓋先進封裝、記憶體及邏輯代工三大業務的半導體公司，其中3D AI Foundry將是未來最重要的成長引擎。

黃崇仁表示，力積電投入超過6年的Wafer-on-WoW（WoW）技術居全球領先地位。目前已完成4層WoW主要客戶資格認證，8層DRAM堆疊良率超過9成，並持續開發12層堆疊。他強調，力積電是全球唯一完成4層WoW認證、也是唯一8層DRAM堆疊良率逾9成的業者，其他競爭者需較長時間追趕。總經理朱憲國補充，4層WoW產品良率已達量產水準，正等待先進邏輯晶片客戶產品導入，8層產品仍持續驗證中[2]。

針對WoW與HBM的差異，黃崇仁指出，HBM堆疊層數愈高伴隨更大的散熱與功耗挑戰，WoW採用Hybrid Bonding直接貼合晶圓，可兼顧高頻寬與低功耗，未來若AI產業更重視能源效率，有機會成為新架構選項。朱憲國說明，目前HBM 4以前仍以Micro-bump堆疊為主，部分國際記憶體大廠已開始朝Hybrid Bonding發展[2]。

在先進封裝其他產品線方面，黃崇仁表示，12吋矽電容已通過國際CPU大廠EMIB封裝技術認證並開始穩定投片出貨，矽中介層（Interposer）受惠AI先進封裝需求持續增加，產線已完成移轉並開始量產爬坡。聯合報報導，矽電容明年下半年規劃將8吋月產能增至5,000片，12吋月產能提升至8,000至1萬片，並評估進一步擴充廠房空間[1]。矽光子方面，力積電規劃兩條技術路線：開發應用於機櫃及主機板的光子積體電路，以及發展光學中介層，相關技術仍處研發初期[1]。

記憶體方面，公司維持從利基型至高階DRAM的完整產品線，自行開發的DDR4 8Gb預計今年底前逐步產出，明年在美光技術支援下建立量產能力。美光PWF合作案設備預計今年底前進駐，目標明年第4季量產；1P DRAM設備預計明年第1季底前到位，規劃2028年中量產[1]。

邏輯代工方面，力積電第2季已針對8吋及12吋價格調漲10%至15%，若市場持續缺貨不排除再度調價；第3季及第4季產能利用率預估均接近滿載。黃崇仁表示，AI伺服器帶動電源管理及功率元件需求，8吋MOSFET及分離式元件產能已長期滿載。第三代半導體布局碳化矽及GaN on Silicon，與美國Navitas合作，最快可能明年上半年開始小量生產[1]。

朱憲國表示，目前3D AI Foundry受限於產能，今年營收占比仍為個位數，但客戶需求強勁，目標3年內將4大產品線合計營收占比提升至20%[2]。

印度建廠案方面，力積電已認列超過1億美元相關收入，印度晶圓廠預計明年底完成土建、後年初搬入設備，屆時技術移轉收入才會逐步放大[1]。