力積電Q2毛利率衝28% 黃崇仁：明年配息

（綜合中央社、自由時報、ETtoday新聞雲等6家媒體報導）

晶圓代工廠力積電（6770）今（14）日召開法說會，公布第二季財報。受惠DRAM價格上揚及平均銷售單價（ASP）提升，單季營收172.91億元，季增27%、年增53%；毛利率由首季10%大幅攀升至28%，創近3年半新高；稅後淨利32.91億元，每股盈餘0.76元，較去年同期每股虧損0.80元順利轉盈。累計上半年營收308.63億元，年增38%，稅後淨利175.22億元，每股盈餘4.08元，主要受惠第一季出售銅鑼廠予美光的一次性業外利益。

總經理朱憲國表示，第二季營收成長主要來自ASP提升，公司自2月進行價格結構調整後，效益逐步反映。7月已再度調高DRAM投片價格45%，考量晶圓生產週期，預計11月起反映營收與獲利。邏輯代工方面，第三季訂單投片比達1.4倍，7月已調漲8吋及12吋晶圓代工報價10%至15%。記憶體營收占比已突破五成，達52%；3D AI Foundry占比由3.2%提高至5.4%。

朱憲國指出，AI伺服器需求強勁，CSP已向DRAM原廠預訂未來數年產能，預期供需缺口將延續至2027年。力積電將配合美光1P製程導入，相關機台預計明年第1季到位。與美光合作的PWF產線，預計今年底完成試產線設置，2027年第四季量產。

展望下半年，朱憲國表示，受限銅鑼廠設備搬遷及新竹廠年度歲修影響，7月營收成長動能將略為放緩，預期8月起恢復成長，全年營運可望於年底達到高峰，第三、第四季產能利用率預估接近滿載，毛利率也將逐季提升。

董事長黃崇仁宣布，力積電明年一定會恢復配發股利，具體金額視今年獲利及資本支出情況而定。他強調，力積電在晶圓堆疊（WoW）、矽中介層、矽電容等領域居領先地位，矽電容已通過英特爾EMIB認證，電源管理晶片和氮化鎵（GaN）也間接打入輝達供應鏈。黃崇仁預期，在AI需求帶動下，明年晶圓代工業者毛利率都有機會超過40%。

資本支出方面，今年規劃約4.88億美元，主要投入無塵室擴建、HBM後段封裝設備及製程升級。力積電同時持續協助印度塔塔集團建置晶圓廠，預計明年量產，後續仍可認列技術移轉收入。

（新增自由時報、東森新聞、壹蘋新聞網等5家媒體報導）

力積電（6770）今（15）日股價跳空開高，開盤不久即強攻漲停鎖死至76.1元，站回五日線與月線，截至上午10時56分成交量超過19萬張，漲停委買張數逾2.2萬張，反映市場對法說會利多的高度認同。兩家本土法人同步調升目標價，一家由69.2元上修至85元，給予「買進」評等，另一家則上調至77.6元，均看好記憶體景氣持續上行至2027年。

壹蘋新聞網進一步揭露3D AI Foundry技術細節。董事長黃崇仁表示，力積電不再是傳統成熟製程代工廠，而是同步布局記憶體、邏輯代工及3D AI Foundry三大業務，後者目標三年內營收占比由5.4%提升至20%。其中，WoW四層堆疊已完成主要客戶驗證達量產水準，八層堆疊良率突破九成，持續驗證中；12吋矽電容已通過英特爾EMIB認證並穩定出貨，規劃2027年月產能提升至8,000至1萬片。Interposer方面，受惠台積電CoWoS產能外溢，力積電已將銅鑼廠相關產線搬回新竹廠並開始量產爬坡。

在DRAM技術布局上，自有1X製程已於6月小量生產，預計2027年正式量產；與美光合作的1P製程預計明年第一季完成機台建置，目標2028年中量產，每片晶圓價值約可提升至2.5倍。此外，SLC NAND受惠Edge AI及IoT需求，第二季價格逐步走升，力積電已將代工製程推進至24奈米，並開發MLC產品，預計今年底至明年初完成Tape-out。NOR Flash方面，受地緣政治影響，力積電成為少數非中系代工廠，投片量已突破千片並持續放量。