韓國砸5000億韓元強攻功率半導體

（綜合今日新聞、聯合報報導）

韓國政府宣布投入約5000億韓元（約3.29億美元）研發資金，推動下一代功率半導體量產，若加計民間資金，整體投資規模最終可能擴大至7500億韓元（約4.94億美元）。韓國副總理兼企劃財政部部長具潤哲已召開會議，討論先進功率半導體商業化路線圖。

此計畫目標是建立從材料、元件、模組到系統驗證的完整國內供應鏈，縮短從研發到量產的時間。韓國政府希望將功率半導體培養成繼DRAM、NAND Flash之後，帶動半導體產業成長的新支柱。

韓國鎖定碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料。相較傳統矽基半導體，這類材料更能承受高溫、高壓與高頻環境，可降低電能損耗，適合AI算力基礎建設、電動車電控系統與高階工業設備。

功率半導體對AI資料中心而言，是維持穩定供電與降低能源損耗的關鍵零組件。此外，電動車、再生能源、智慧電網、國防、機器人與航太領域，也都需要更高效、更耐用的功率元件。韓國政府已將次世代功率半導體，與小型模組化反應爐、感測器AI並列為未來經濟成長核心項目。

韓國在功率半導體領域面臨歐美、日本與台灣業者競爭。政府擔心，若核心技術與供應鏈長期仰賴海外，未來在AI、國防與能源轉型上恐成弱點，因此要求有功率半導體需求的企業直接參與開發階段，確保技術規格貼近產業應用。