三星SK海力士美光擴產記憶體行情掀波動

（綜合民視新聞、聯合報等2家媒體報導）

韓國總統李在明6月底宣布一項規模達800兆韓元（約17兆新台幣）的大型投資計畫，目標在2030年讓三星與SK海力士的DRAM產能翻倍。美光也於7月初宣布斥資93億美元在日本廣島擴增HBM產能，預計2年後出貨。消息一出，全球記憶體類股劇烈震盪，美光股價單周下跌15%，日商鎧俠下跌一成，台灣南亞科、華邦電及旺宏也有近一成跌幅。

市場擔憂供過於求，但外資美銀報告指出，韓國產能翻倍目標若扣除舊廠關閉與製程微縮減損，實際年擴張率將低於10%，遠不及翻倍水準。供應鏈也傳出，SK海力士2028年實際新開出的記憶體產能，可能只有最初規畫的六分之一[1]。

此外，韓國新記憶體聚落選址於光州、全羅的石化鋼鐵園區，一名台灣記憶體業者形容「就像要在10年前的雲林、嘉義蓋晶圓廠」，基礎設施布建需5年，加上無塵室與機台共需10年以上，分析師認為李在明的擴產計畫宣示意義較大[1]。

需求端方面，AI浪潮持續推動記憶體超級循環。群聯電子執行長潘健成指出，雲端服務商投入數千億美元建置AI資料中心，推論過程需龐大儲存空間，各類型記憶體處於極端「賣方市場」[1]。業界粗估，今年先進記憶體製程只能滿足AI相關需求的六成，明後年仍供不應求。

然而，記憶體價格高漲已衝擊消費性電子。小米今年出貨目標由1.3億支下修至9000萬支，潘健成也坦言手機下半年將衰退四成。輝達預計在Vera Rubin平台將CPU採用的LPDDR5X容量砍半，以壓低記憶體成本占比；英特爾也決定重啟舊款CPU以回頭使用DDR4晶片。

微驅科技總經理吳金榮預警，供需扭曲導致終端客戶調整產品規格，比產能擴充更可能讓記憶體價格在2027年下半年迎來轉折[1]。