應材推新系統 搶攻AI晶片3D架構商機

（綜合聯合報、中時電子報等2家媒體報導）

美國半導體設備大廠應用材料（Applied Materials）1日宣布推出多款全新晶片製造系統，鎖定AI晶片所需的DRAM、HBM與先進封裝製程，協助客戶突破「記憶體牆」瓶頸，加速新一代AI晶片導入量產。

應材指出，隨著AI模型規模擴大，記憶體頻寬、容量與能效已逐漸成為AI運算限制，高頻寬記憶體（HBM）與3D堆疊封裝因此成為產業關鍵。但相關技術也使製程複雜度大幅提高，從DRAM電晶體、矽穿孔、微凸塊、混合鍵合到缺陷檢測，都需要更高精度的材料工程與製程控制能力。

在DRAM製程方面，應材推出升級版 Centura Prime Epi 磊晶系統，將過去多用於先進邏輯製程的磊晶技術導入次世代DRAM周邊電路。該系統可在源極／汲極區域選擇性生長摻雜矽鍺與磷化矽，透過應變工程與精準摻雜控制，提升驅動電流與電晶體效率，支援更高速、更節能的DRAM運作。新系統占地面積也縮小20%，有助DRAM晶圓廠提升設備配置密度與產能擴充效率。

在先進封裝領域，應材同步推出 Opta Quad CMP、Nokota Vmax 2 ECD 與 Producer Avila 2 PECVD 三款新系統，鎖定3D堆疊最關鍵製程。其中，Opta Quad CMP針對混合鍵合所需的高平整度要求，強化晶圓內均勻性與總厚度變異控制；Nokota Vmax 2則透過自適應圖案化調校技術，提升矽穿孔與微凸塊等銅沉積均勻性；Producer Avila 2可在矽穿孔周圍沉積應力平衡介電薄膜，強化超薄DRAM晶粒穩定性，支援12層、16層及更高堆疊層數HBM設計。

應材半導體產品事業群總裁Prabu Raja表示，過去推動先進邏輯晶片效能提升的電晶體與材料工程技術，如今正成為DRAM創新的關鍵；隨著DRAM持續微縮，以滿足HBM與AI應用對頻寬日益成長的需求，邏輯與記憶體製程技術之間的界線正逐漸融合。

在先進封裝檢測方面，應材也推出 VeritySEM 7AP 關鍵尺寸量測系統與 SEMVision G7AP 缺陷分析系統，將晶圓廠等級的電子束量測與缺陷複檢導入先進封裝。應材指出，隨著先進封裝結構微縮，部分缺陷尺寸已低於傳統光學檢測設備解析極限，單一缺陷甚至可能導致整個HBM堆疊報廢，因此封裝廠需要更高精度的電子束檢測能力。

應材影像暨製程控制事業群集團副總裁兼總經理Keith Wells表示，先進封裝結構持續微縮後，封裝廠需要電子束等級檢測精度，以重新偵測並精確分類缺陷。VeritySEM 7AP與SEMVision G7AP正是將應材在晶圓廠累積的製程控制技術延伸至先進封裝，並針對3D架構基板特性與缺陷挑戰進行最佳化設計。\n\n應材半導體產品事業群總裁Prabu Raja表示，過去推動先進邏輯晶片效能提升的電晶體與材料工程技術，如今正成為DRAM創新的關鍵；隨著DRAM持續微縮，以滿足HBM與AI應用對頻寬日益成長的需求，邏輯與記憶體製程技術之間的界線正逐漸融合。\n\n應材指出，隨著AI模型規模持續擴大，資料運算與傳輸需求快速成長，記憶體頻寬、容量與能效已逐漸成為AI運算限制，高頻寬記憶體與3D堆疊封裝因此成為產業關鍵。不過，相關技術也使製程複雜度大幅提高，從DRAM電晶體、矽穿孔、微凸塊、混合鍵合到缺陷檢測，都需要更高精度的材料工程與製程控制能力。"}

<output>EVENT_NAME: 應材推DRAM與先進封裝新系統 搶攻AI商機 CATEGORY: 科技 TAGS: 應用材料, DRAM, 先進封裝, HBM, AI晶片

（綜合聯合報、中時電子報等2家媒體報導）

美國半導體設備大廠應用材料（Applied Materials）1日宣布推出多款全新晶片製造系統，鎖定AI晶片所需的DRAM、HBM與先進封裝製程，協助客戶突破「記憶體牆」瓶頸，加速新一代AI晶片導入量產。

應材指出，隨著AI模型規模擴大，記憶體頻寬、容量與能效已逐漸成為AI運算限制，高頻寬記憶體（HBM）與3D堆疊封裝因此成為產業關鍵。但相關技術也使製程複雜度大幅提高，從DRAM電晶體、矽穿孔、微凸塊、混合鍵合到缺陷檢測，都需要更高精度的材料工程與製程控制能力。

在DRAM製程方面，應材推出升級版 Centura Prime Epi 磊晶系統，將過去多用於先進邏輯製程的磊晶技術導入次世代DRAM周邊電路。該系統可在源極／汲極區域選擇性生長摻雜矽鍺與磷化矽，透過應變工程與精準摻雜控制，提升驅動電流與電晶體效率，支援更高速、更節能的DRAM運作。新系統占地面積也縮小20%，有助DRAM晶圓廠提升設備配置密度與產能擴充效率。

在先進封裝領域，應材同步推出 Opta Quad CMP、Nokota Vmax 2 ECD 與 Producer Avila 2 PECVD 三款新系統，鎖定3D堆疊最關鍵製程。其中，Opta Quad CMP針對混合鍵合所需的高平整度要求，強化晶圓內均勻性與總厚度變異控制；Nokota Vmax 2則透過自適應圖案化調校技術，提升矽穿孔與微凸塊等銅沉積均勻性；Producer Avila 2可在矽穿孔周圍沉積應力平衡介電薄膜，強化超薄DRAM晶粒穩定性，支援12層、16層及更高堆疊層數HBM設計。

應材也將晶圓廠等級的電子束量測與缺陷複檢導入先進封裝，推出 VeritySEM 7AP 關鍵尺寸量測系統與 SEMVision G7AP 缺陷分析系統。應材指出，隨著先進封裝結構微縮，部分缺陷尺寸已低於傳統光學檢測設備解析極限，單一缺陷甚至可能導致整個HBM堆疊報廢，因此封裝廠需要更高精度的電子束檢測能力。

應材半導體產品事業群總裁Prabu Raja表示，過去推動先進邏輯晶片效能提升的電晶體與材料工程技術，如今正成為DRAM創新的關鍵；隨著DRAM持續微縮，以滿足HBM與AI應用對頻寬日益成長的需求，邏輯與記憶體製程技術之間的界線正逐漸融合。

應材影像暨製程控制事業群集團副總裁兼總經理Keith Wells表示，先進封裝結構持續微縮後，封裝廠需要電子束等級檢測精度，以重新偵測並精確分類缺陷。VeritySEM 7AP與SEMVision G7AP正是將應材在晶圓廠累積的製程控制技術延伸至先進封裝，並針對3D架構基板特性與缺陷挑戰進行最佳化設計。}

<output>EVENT_NAME: 應材推DRAM與先進封裝新系統 搶攻AI商機 CATEGORY: 科技 TAGS: 應用材料, DRAM, 先進封裝, HBM, AI晶片

（綜合聯合報、中時電子報等2家媒體報導）

美國半導體設備大廠應用材料（Applied Materials）1日宣布推出多款全新晶片製造系統，鎖定AI晶片所需的DRAM、HBM與先進封裝製程，協助客戶突破「記憶體牆」瓶頸，加速新一代AI晶片導入量產。

應材指出，隨著AI模型規模擴大，記憶體頻寬、容量與能效已逐漸成為AI運算限制，高頻寬記憶體（HBM）與3D堆疊封裝因此成為產業關鍵。但相關技術也使製程複雜度大幅提高，從DRAM電晶體、矽穿孔、微凸塊、混合鍵合到缺陷檢測，都需要更高精度的材料工程與製程控制能力。

在DRAM製程方面，應材推出升級版 Centura Prime Epi 磊晶系統，將過去多用於先進邏輯製程的磊晶技術導入次世代DRAM周邊電路。該系統可在源極／汲極區域選擇性生長摻雜矽鍺與磷化矽，透過應變工程與精準摻雜控制，提升驅動電流與電晶體效率，支援更高速、更節能的DRAM運作。新系統占地面積也縮小20%，有助DRAM晶圓廠提升設備配置密度與產能擴充效率。

在先進封裝領域，應材同步推出 Opta Quad CMP、Nokota Vmax 2 ECD 與 Producer Avila 2 PECVD 三款新系統，鎖定3D堆疊最關鍵製程。其中，Opta Quad CMP針對混合鍵合所需的高平整度要求，強化晶圓內均勻性與總厚度變異控制；Nokota Vmax 2則透過自適應圖案化調校技術，提升矽穿孔與微凸塊等銅沉積均勻性；Producer Avila 2可在矽穿孔周圍沉積應力平衡介電薄膜，強化超薄DRAM晶粒穩定性，支援12層、16層及更高堆疊層數HBM設計。

應材也將晶圓廠等級的電子束量測與缺陷複檢導入先進封裝，推出 VeritySEM 7AP 關鍵尺寸量測系統與 SEMVision G7AP 缺陷分析系統。應材指出，隨著先進封裝結構微縮，部分缺陷尺寸已低於傳統光學檢測設備解析極限，單一缺陷甚至可能導致整個HBM堆疊報廢，因此封裝廠需要更高精度的電子束檢測能力。

應材半導體產品事業群總裁Prabu Raja表示，過去推動先進邏輯晶片效能提升的電晶體與材料工程技術，如今正成為DRAM創新的關鍵；隨著DRAM持續微縮，以滿足HBM與AI應用對頻寬日益成長的需求，邏輯與記憶體製程技術之間的界線正逐漸融合。

應材影像暨製程控制事業群集團副總裁兼總經理Keith Wells表示，先進封裝結構持續微縮後，封裝廠需要電子束等級檢測精度，以重新偵測並精確分類缺陷。VeritySEM 7AP與SEMVision G7AP正是將應材在晶圓廠累積的製程控制技術延伸至先進封裝，並針對3D架構基板特性與缺陷挑戰進行最佳化設計。