(綜合ETtoday新聞雲、中央社、聯合報等4家媒體報導)
南韓半導體大廠SK海力士爆發營業秘密外洩案。一名曾任職於SK海力士中國法人的韓籍金姓前員工,因向中國企業洩漏半導體相關技術機密,二審遭首爾高等法院判處有期徒刑1年6個月,維持一審刑度。
法院認定,金男於2022年準備轉職期間,違反公司安全規範,從內部文件管理系統大量列印或拍攝與CMOS影像感測器(CIS)相關的技術資料及營業秘密,並將部分內容直接放入求職履歷,提交給中國企業。檢方依違反《產業技術保護法》、《不正當競爭防止法》及業務上背任等罪名起訴。
報導指出,金男跳槽的對象為華為旗下的海思半導體(HiSilicon)[4][2]。法院未公開涉事中國企業名稱[3]。
針對量刑理由,二審法院表示,相關資料是SK海力士多年投入研發的成果,若從輕量刑,恐削弱企業研發意願,也讓海外競爭對手透過人才招募輕易取得南韓企業重要技術。考量金男已坦承犯行,且大部分外洩資料已被追回,法院未再加重刑度。
此外,金男另被指控洩漏下一代記憶體技術「混合鍵合」(Hybrid Bonding)相關資料,但一、二審法院均認定,案發當時該技術尚未被南韓產業通商資源部正式列入尖端技術範圍,因此就此部分判決無罪[4][2]。
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