- DDR5交期由正常6週暴增至50週,大增733%
- AI帶動HBM需求,三大記憶體廠產能轉向HBM排擠傳統記憶體
- DDR4交期增至29週,NAND增至33週
- 大型OEM即使有配額,最多僅能拿到訂單60-70%
- 三星、海力士、美光DRAM及HBM產能已銷售至2027年
(綜合中時電子報、自由時報等2家媒體報導)
AI浪潮持續排擠傳統記憶體產能,導致全球記憶體市場出現罕見缺貨潮。供應鏈數據平台Z2 Data最新資料顯示,DDR5正常交期約6週,今年3月已拉長至17週,8月更暴增至50週,較正常水準大增733%,等貨時間接近一年。
這波供應吃緊主因是AI大型模型帶動資料中心基礎設施需求,高頻寬記憶體(HBM)需求急升。三星、SK海力士與美光等記憶體大廠將更多產能轉向價格與營收潛力較高的HBM,壓縮DDR3、DDR4、DDR5及NAND等傳統記憶體供應。部分沒有直接長約的客戶,交期已拉長至8個月、9個月甚至一年;大型OEM即使取得配額,也可能只能拿到原訂單的60%至70%。
其他記憶體品項同樣受衝擊:DDR4正常交期8週,8月已增至29週(增262.5%);NAND由9週升至33週(增267%);DDR2/DDR3則從8週增至27週。可程式化邏輯晶片FPGA從正常13週拉長到35週(增169%);微處理器(MPU)由13週增至28週。
分離式元件也未能倖免:一般用途雙極性電晶體(GP BJT)交期由10週增至23週,MOSFET由14週升至26週,齊納二極體則由10週拉長到24週。Z2 Data指出,這波交期拉長從2025年下半年開始,到了今年夏季不但沒有改善,部分品項甚至進一步惡化。
除AI排擠產能,原物料取得困難及貿易限制也讓供應鏈更加緊張。Z2 Data認為,目前記憶體缺貨尤其嚴重,三星、SK海力士與美光的DRAM及HBM產能實際上已銷售至2027年。對OEM而言,半年交期、大幅漲價與配額供貨,正從特殊狀況逐漸變成2026年採購晶片時不得不面對的現實。
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