- 聯電與英特爾合作12奈米FinFET進展順利,預計2027年量產
- 英特爾已完成製程技術轉移,正在亞利桑那州廠區驗證
- 聯電去年營收2376億元,每股純益3.34元
- 22/28奈米及特殊製程營收創新高
- 新加坡廠第3期擴建順利
- 聯電取得imec矽光子技術授權,12吋平台已試產
(綜合中央社、聯合報等2家媒體報導)
聯電今日召開股東常會,總經理王石表示,與英特爾(Intel)於美國合作的12奈米鰭式場效電晶體(FinFET)平台進展順利,英特爾已完成製程技術轉移,目前正在亞利桑那州廠區進行驗證,預計今年完成驗證,2027年量產,成為聯電重要的美國在地製造布局。
王石致詞時指出,過去一年聯電迎來成立45週年,面對全球消費需求回升緩慢、地緣政治不確定性升高及匯率波動等挑戰,仍繳出穩健營運成果。聯電去年營收達新台幣2376億元,毛利率29%,營業利潤率18.5%,歸屬母公司淨利417億元,每股純益3.34元。
在成熟製程方面,王石表示,聯電22奈米、28奈米及特殊製程的年度營收貢獻再創歷史新高,鞏固其市場地位;新加坡廠第3期擴建順利,有助強化全球供應鏈及產能布局韌性。去年研發投入達177億元,專注5G、通訊物聯網、車用電子及AI等領域技術開發。
在先進封裝領域,聯電持續推進AI相關應用,主動式中介層正與多家客戶驗證;導入深溝槽電容技術的2.5D封裝解決方案已順利出貨予主要客戶。次世代高速通訊方面,聯電已取得imec矽光子技術授權,12吋矽光子技術平台已正式進入試產階段。
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