- 聯電推出14奈米eHV FinFET顯示驅動IC平台
- 相較22奈米方案功耗降低40%、面積縮小35%
- 鎖定高階與摺疊式OLED智慧型手機應用
- 首次將FinFET技術導入顯示驅動領域
- 已於聯電12A廠完成驗證並提供PDK
(綜合聯合報、中時電子報等2家媒體報導)
晶圓代工廠聯電(2303)14日宣布推出用於顯示驅動IC的14奈米嵌入式高壓(eHV)FinFET技術平台,並已於聯電12A廠完成驗證,可提供製程設計套件(PDK)供客戶導入設計。
相較聯電目前量產中最先進的22奈米eHV方案,14奈米平台功耗降低40%、晶片面積縮小35%,可延長電池續航力並支援更輕薄驅動模組,鎖定高階與摺疊式OLED智慧型手機顯示應用。數位電路方面以FinFET元件取代平面電晶體,搭配最佳化I/O元件設計與更高驅動速度,支援高解析度顯示所需的高刷新率;優化後的中電壓元件則提供更小線寬間距與更廣泛電壓操作範圍。
聯電技術研發副總經理徐世杰表示,這是聯電首次將FinFET技術導入顯示驅動領域,具重要里程碑意義。聯電強調,集團長期在OLED顯示驅動IC市場居領先地位,目前為業界唯一提供最先進22奈米顯示驅動IC解決方案的晶圓代工廠,高壓製程技術平台涵蓋0.6微米至14奈米。
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