華邦電Q2獲利創高 預警2027年記憶體更吃緊

（綜合中央社、聯合報等4家媒體報導）

華邦電今（6）日舉行法說會，公布第2季財報並釋出記憶體後市展望。受惠AI需求推升記憶體價格與產品組合優化，單季合併營收598.43億元，季增56.4%；毛利率66.2%，較首季揚升13個百分點；歸屬母公司淨利243.17億元，季增140.4%，每股純益5.4元，創單季新高。上半年每股純益達7.65元，同創歷年同期新高。

若扣除子公司新唐，記憶體事業毛利率更達70.3%，產能利用率接近滿載。總經理陳沛銘表示，第2季營益率約48%，目標第3季突破50%。

展望後市，陳沛銘指出，目前DRAM市場仍供給吃緊，第3季產品平均售價將持續攀升。在AI資料中心、車用電子、工控及邊緣AI等需求同步成長下，預期2027年全球記憶體供需將比今年更緊張，即使持續擴產，短期新增供給仍有限。

華邦電表示，高容量NOR Flash市場供不應求，價格漲勢可望延續至2026年之後；SLC NAND供給持續緊俏，下半年價格仍有支撐。DRAM方面，主要供應商縮減DDR4出貨，第3季合約價仍具上漲空間。

為因應長期需求，華邦電董事會正式拍板啟動高雄第二座雙子星12吋晶圓廠（P2）建置計畫。陳沛銘說明，高雄一廠月產能預計年底由1.5萬片擴至2.4萬片，仍無法滿足客戶需求。二廠無塵室面積約3萬平方公尺，約為一廠兩倍，未來可容納5萬至6萬片月產能，設備將分階段建置。二廠預計2027年1月動工，2029年初裝機、第4季量產，將導入EUV設備，布局14奈米及12奈米等新世代DRAM製程。

陳沛銘透露，已有不少客戶主動洽談長期供貨合約，除原有協議外，更希望提前預約2029年、甚至2030年新廠產能。華邦強調，LTA將優先提供給具長期合作基礎的策略型客戶，不會因短期波動大量承接消費性訂單。

在現有產能方面，高雄廠16奈米DRAM良率已接近88%，目標年底提升至接近90%，藉製程微縮與良率改善增加有效產出。華邦電今年資本支出維持395億元規劃，上半年已支出約75億元，其中95%投入生產設備。

（新增聯合報、自由時報、中時電子報等7家媒體報導）

華邦電今（7）日公告7月營收267.73億元，月增29.98%、年增291.55%，連續第二個月創歷史新高；累計前7月營收1248.7億元，年增160.97%，已提前達成公司去年家庭日宣示的千億元年度目標[9][8]。總經理陳沛銘預期第3季記憶體價格仍將持續向上，但漲幅不會達到前一波翻倍水準，「應該不會太差」[8]；部分客戶甚至主動要求調漲價格以優先取得供貨[6]。

## 股價震盪 法人看法分歧 華邦電法說會後股價開低走低，一度重挫逾5%[6]。聯合報分析指出，記憶體族群7日普遍走弱，呈現「基本面持續上修、籌碼面逢高調節」的矛盾格局，主因AI題材推升股價大漲後，市場進入高期待值修正階段[7]。外資6日反手賣超1.8萬張，中止連3買；投信則連續3個交易日買超[6]。

## 客戶長約延伸至2030年 陳沛銘透露，目前約五成產能已由1至2年期長約鎖定，部分客戶更開始洽談2029年至2030年產能；未來高雄Module B長約期間可能拉長至3至5年，並要求預付20%至30%訂金[2]。華邦電也正積極推進Flash製程升級，目標最快2027年成為全球最大SLC NAND供應商[7]。

## 法人觀點 摩根士丹利最新報告指出，華邦電第2季EPS較其預估高出27%，也較市場共識高出11%，主要受惠DRAM與Flash價格上漲[5]。