- 台積電宣布加碼美國亞利桑那州投資1000億美元
- 預計再建置4座以上2奈米及以下製程晶圓廠
- 在美總投資金額增至2650億美元
- 今年資本支出上修至600億至640億美元
- 先進封裝產能「非常吃緊」,COUPE平台已投產
- 玻璃基板試產線建置中,估需一年成熟
- 計劃新增3座3奈米廠,分布台灣、美國、日本
- A14製程預計2027年試產、2028年量產
- 成熟製程僅PMIC及感測器短缺,消費性需求仍弱
(綜合中央社、自由時報、聯合報等8家媒體報導)
台積電今(16)日召開法人說明會,董事長魏哲家宣布,將在美國亞利桑那州追加投資1000億美元,用於興建更多2奈米及以下先進製程晶圓廠及先進封裝廠,以滿足美國客戶未來多年的強勁需求。魏哲家表示,此投資可望再建置4座或更多晶圓廠,實際進度取決於市場狀況與客戶需求。台積電財務長黃仁昭補充,加碼美國投資基於客戶需求高速成長、美國官方大力支持,且亞利桑那一、二廠良率已比美台灣廠區[9]。
此次加碼後,台積電在美國亞利桑那州的總投資金額將由1650億美元增至2650億美元[6]。魏哲家強調,此投資有助於促進美國半導體生態系統發展,並創造更多高科技、高薪就業機會。他也重申,台灣仍是台積電最重要的生產基地,未來幾年將在台灣興建13座先進製程封裝廠,持續加大在台投資。
台積電同步調高今年資本支出預估,由4月法說會預估的520億至560億美元區間,上修至600億至640億美元。黃仁昭表示,較高的資本支出意味著未來幾年更高的成長機會,台積電已做好充分準備掌握5G、AI與高效能運算(HPC)等產業大趨勢。他強調,台積電產能擴充不會遭遇瓶頸,已提前與供應商密切合作[7]。
針對先進封裝布局,魏哲家表示,目前先進封裝產能「非常吃緊」,台積電正努力縮短需求與產能之間的差距。他樂見更多廠商投入先進封裝新技術,不僅能提升市場靈活度,也有助分擔台積電部分產能負荷,讓客戶規劃有更大彈性[6]。在共封裝光學(CPO)方面,台積電COUPE平台已開始生產,未來將逐步放量[11]。玻璃基板新技術則正在建置試產線,預估仍需約一年才能逐步成熟[11]。
魏哲家指出,台積電計劃新增3座3奈米晶圓廠,分別位於台灣、美國亞利桑那州及日本,同時在台灣改造5奈米廠以支援3奈米產能。下一世代A14製程研發進度順利,內部測試結果符合預期,已獲得智慧手機及AI HPC客戶高度興趣,客戶設計導入進度甚至超前規劃。A14預計2027年試產、2028年量產,相較N2可提供10%至15%效能提升,或在相同性能下降低25%至30%功耗,晶片密度提升近20%[3]。
成熟製程方面,魏哲家表示策略未變,首要任務是全力支持客戶,持續在更高附加價值領域增加產能。目前短缺主要集中在AI相關應用,包括電源管理晶片(PMIC)及CMOS影像感測器等,涉及40奈米、28奈米製程;其他消費性電子應用需求仍不強,未出現全面性短缺[11]。
(新增中時電子報、聯合報、ETtoday新聞雲等11家媒體報導)
法說會後,行政院、AIT及專家學者陸續回應。行政院發言人李慧芝強調,政府尊重台積電全球布局,將確保「三個優先」:最大製造產能、最先進技術及最完整半導體生態系留在台灣。她並指出,台美已建立G2G溝通機制,協助業者爭取半導體232關稅免稅配額及優惠待遇[11][10]。
AIT處長谷立言表示,此投資充分展現美台間的信任與信心,確保台積電與美國主要客戶並肩而立,打造具韌性的供應鏈[12][8]。美國商務部也發聲明證實,川普政府將獲得此筆追加投資,使台積電在美設施總數增至12座[1]。
台經院產總資料庫總監劉佩真分析,台積電加碼美國符合自身利益,既能就近滿足客戶需求,也可防範英特爾搶單;但台灣基礎設施如水電已達極限,在台就業及投資規模恐受影響。她強調,台積電在台先進製程須與美國保持兩年以上時間差,才能確保台灣優勢[7]。
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