- 台積電與天虹科技先進製程實驗室正式啟用
- 聚焦鍍膜設備、膜質改善、前驅物篩選三大領域
- 台積電研發副總章勳明出席開幕儀式
- 天虹執行長易錦良:證明本土設備業有能力成為創新者
- 天虹將持續加大在台研發投資,推動設備國產化
台積電攜天虹科技 先進製程實驗室啟用
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ESG先進製程半導體設備台積電天虹科技
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(綜合中央社、聯合報等2家媒體報導)
半導體設備廠天虹科技(6937)與晶圓代工龍頭台積電共同舉行「先進製程實驗室」開幕啟用儀式。台積電由研發副總經理章勳明代表出席,天虹創辦人羅偉瑞、董事長黃見駱(中央社報導為黃建駱)及執行長易錦良率核心研發團隊共同見證。
天虹表示,該實驗室將作為前瞻技術的孵化基地,聚焦三大核心領域:先進製程鍍膜設備(優化本土自主研發設備,因應次世代晶圓製程挑戰)、膜質改善技術(提升薄膜均勻度、填洞能力、電性與物理特性,優化晶圓性能與良率),以及前驅物篩選與驗證(針對新世代特殊化學氣體與新材料進行高效篩選,確保化學穩定性與綠色環保標準)。
易錦良指出,此實驗室是天虹發展史上的重要里程碑,證明台灣本土設備業不再只是追隨者,而是有能力成為創新者,與台積電同步進行先進製程研發服務。天虹將持續加大在台研發投資,與本地供應鏈夥伴發揮綜效,逐步實踐尖端設備國產化的願景。
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