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記憶體族群跌深反彈 華邦電旺宏一度漲停

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南亞科旺宏華邦電記憶體青雲
初始報導
重點摘要
  • 記憶體族群跌深反彈,華邦電、旺宏、青雲一度漲停
  • 南亞科盤中大漲9.88%,最高衝上445元
  • 漲停股陸續開板,解套賣壓沉重
  • SK會長崔泰源稱記憶體價格「異常高檔」[1]
  • 美光美股大漲12.2%,市值重返1兆美元以上[2]
  • 摩根大通分析師稱市場質疑記憶體需求,但未見實際影響[2]
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(綜合ETtoday新聞雲、TVBS新聞等2家媒體報導)

台股連日強彈,先前重挫的記憶體族群今(22)日上演跌深反彈。開盤不到20分鐘,華邦電(2344)、旺宏(2337)、青雲(5386)等3檔一度亮燈漲停,南亞科(2408)盤中一度大漲9.88%,最高衝上445元,距離漲停僅差一檔。不過,隨著股價快速拉升,解套與獲利了結賣壓接連出籠,漲停股陸續開板,多空交戰轉趨激烈。

青雲盤中率先觸及284元漲停價,但亮燈後不久便遭賣單敲開;旺宏則在開盤約6分鐘後攻上135元漲停價,漲停板一度湧現逾2.4萬張買單排隊搶進,惟解套賣壓同步出籠,盤中呈現漲停反覆開關的震盪走勢。華邦電在開盤第13分鐘亮燈漲停,股價衝上171元,漲停委買一度達2.85萬張,但在開盤約半小時後,漲停板同樣遭到打開,顯示短線套牢賣壓仍相當沉重。

TVBS新聞報導,昨日(21日)記憶體族群已率先回神,概念股開盤全面翻紅,南亞科當日收漲4.99%至400元,華邦電漲1.99%至154元,力積電(6770)及旺宏同步走高。市場買盤重新回流,主因AI伺服器需求持續爆發,高頻寬記憶體(HBM)排擠傳統DRAM產能,供需失衡情況預期可能延續至2028年。

韓國《每日經濟新聞》報導,SK集團會長崔泰源指出,目前記憶體價格處於「異常高檔」,預期明年漲勢仍不見趨緩,形容「市場目前為搶奪記憶體料源已陷入混亂」[1]。相關說法推升SK海力士與三星電子股價,也同步激勵台系記憶體族群反彈。

美系記憶體大廠美光周二在美股收盤大漲12.2%,報970.82美元,市值重返1兆美元以上;過去12個月,美光股價累計漲幅接近800%。SK海力士美國存託憑證單日勁揚13.8%,收在171.94美元,但相較7月10日掛牌首日170美元的開盤價,目前股價僅高出約1美元[2]。

《巴隆週刊》引述摩根大通分析師Mixo Das研究報告指出,近期市場開始質疑記憶體需求,主要擔憂技術與製程突破可能降低記憶體用量,但目前尚未在實際市場中看到相關影響。Mixo Das並強調,記憶體類股的股票供給,不應與實體記憶體晶片的供給混為一談[2]。

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