台灣首創臨場顯微半導體檢測技術

（綜合中央社、聯合報等2家媒體報導）

國科會今（16）日舉行記者會，宣布台灣團隊首創「臨場剖面掃描顯微半導體檢測技術」。該技術由國立台灣大學物理學系教授邱雅萍主導，與台師大物理學系教授藍彥文及新加坡國立大學教授李連忠團隊合作研發，成果已發表於國際期刊《自然》（Nature）。

此技術突破過去僅能依賴理論模擬推估的限制，可在先進二維半導體電晶體元件實際運作狀態下，以原子級空間解析度直接量測金屬／半導體接觸邊緣的電子轉移長度（transfer length）。邱雅萍形容，這如同在接觸邊緣架設原子尺度的高解析度觀測攝影機，讓研究人員直接觀察電子如何穿越接觸邊緣，並精確量測其有效注入長度。

研究團隊以半金屬鉍（Bi）接觸單層二硫化鉬（MoS₂）電晶體為驗證平台，在超高真空環境中將元件劈裂，使接觸剖面直接暴露於檢測探針端，並在操作狀態下施加偏壓進行檢測[1]。此舉首次在原子級尺度下確認二維半導體接觸工程支援次世代奈米節點發展的可行性，並提供鑑別不同接觸金屬與材料組合的直接實驗依據。

團隊也將此量測方法延伸至絕緣層上矽（SOI）元件，證明該技術不僅適用二維半導體，更有潛力成為各類先進半導體元件接觸特性的通用分析平台。邱雅萍表示，團隊已與業界展開討論，向公司接樣品檢測，目標協助產業加速驗證週期。

國科會指出，此研究從檢測技術開發、方法建立到先進元件驗證，皆由台灣團隊主導完成，展現台灣在前瞻半導體關鍵量測技術領域的自主研發能量。