國研院攜台日團隊突破6吋晶圓二維材料技術

（綜合自由時報、聯合報等2家媒體報導）

國研院國儀中心攜手陽明交通大學、日本東京大學及國研院半導體中心，成功建立晶圓級二維材料製程與設備研發平台，實現6吋晶圓單層二硫化鎢（WS₂）100%全覆蓋連續膜的高均勻成長，突破二維材料大面積製程瓶頸。

國研院指出，目前全球除國研院外，僅有比利時微電子研究中心（imec）、ASML與台積電合作團隊曾發表過大面積單層二維材料100%全覆蓋的連續膜晶圓。國儀中心自2020年起執行國科會計畫，自行設計組裝二維材料真空沉積系統，成功開發出8至12吋等級之製程設備平台，並向下相容完成6吋晶圓規模之單層二維材料成長，克服大面積成長中常見的材料不均與缺陷問題。

國儀中心將鍍上二維材料連續膜的6吋晶圓交由半導體中心製作出元件並測試，成功驗證應用於實際元件的可行性，建立「設備→製程→檢測→元件」完整技術鏈。

國研院進一步攜手台日頂尖學者建立技術驗證體系。陽明交大教授張文豪團隊在國儀中心的二維材料檢測平台進行製程驗證，確立磊晶品質與均勻性，相關成果獲《自然電子》刊登。東京大學教授童俊智則在該平台驗證新穎二維硼碳氮材料之厚度、晶體結構、導電度等物性，成果獲《自然》刊登。

國研院表示，國儀中心開發的「大面積二維材料製程設備與檢測技術」代表台灣在二維材料關鍵設備與製程技術上的重大突破，未來將推動設備技術轉移，並持續進行8吋與12吋設備平台優化，結合資料驅動與智慧製造技術，加速二維材料於先進邏輯元件、光電元件及感測應用之產業化發展。