台灣團隊突破二維半導體介面瓶頸 登Nature Electronics

（綜合中央社、聯合報等2家媒體報導）

國科會今（6）日宣布，陽明交通大學電子物理系教授張文豪團隊，攜手台積電拉杜（Iuliana Radu）博士團隊、陽明交大半導體工程學系助理教授李宗恩，成功開發出高效能單層二硫化鉬（MoS2）頂閘極電晶體，成果登上國際頂尖期刊《自然電子》（Nature Electronics）。

二維半導體被視為延續摩爾定律的關鍵材料，但長期面臨「介面問題」：為控制電流須在原子級薄的材料上鋪設閘極介電層，極易破壞表面導致電子傳輸受阻。台灣團隊的創新在於不尋找新材料，而是利用「磊晶介面工程」重新設計介電層結構——以超高真空技術在單層MoS2表面鋪上超薄鋁層，再氧化形成僅約0.42奈米的氧化鋁層，作為後續材料生長的高品質基底。

這項技術兼顧超薄結構與高速電子傳輸，製作出的電晶體在極小尺寸下展現全球領先的跨導表現，同時具備極低漏電流與優異操作穩定性。此研究獲國科會「Å世代前瞻半導體專案計畫」及「晶創台灣」計畫支持[1]。

張文豪表示，未來二維半導體的競爭核心是介面工程，此技術最大價值在於建立可廣泛應用於不同二維半導體材料的平台，有望發展出更高速、更低功耗的元件，並與現有半導體製程結合，為後矽時代晶片技術奠定基礎。