華為麒麟9030拆解 中芯製程密度逼近台積電N6

（綜合中時電子報、自由時報等2家媒體報導）

半導體研究機構SemiAnalysis旗下拆解實驗室STEEL發布報告，針對華為最新旗艦處理器麒麟9030進行逆向工程分析。該晶片採用中芯國際N+3製程，為中芯目前最先進的半導體製程，屬於7奈米家族的進階版。

報告指出，在電晶體密度方面，中芯N+3已逼近台積電N6（6奈米，屬7奈米家族強化版）的水準。然而，SemiAnalysis強調，中芯是在沒有極紫外光（EUV）微影設備的情況下，透過「蠻力」方式達到此密度，包括多重圖案化（multi-patterning）與設計技術協同最佳化（DTCO）兩大技巧。多重圖案化每增加一次步驟，就多一層遮罩、對準誤差機會，成本更高、良率更低；DTCO則讓電晶體更加脆弱、更難建模。

報告直言，中芯在密度上趕上EUV節點「不算平手」，因為密度相對容易改善，而速度與效率的提升更為困難。在DTCO框架下，速度和效率無法同時兼顧，麒麟9030 Pro的效能大約相當於3年前的Android旗艦水準。

與英特爾18A製程（應用於PC處理器Panther Lake）相比，報告指出，英特爾在Panther Lake上大量採用36奈米的較寬鬆高效能單元配置，以降低成本並提高良率。此外，18A具備背後供電（backside power delivery）技術，可在晶片背面引入電源連接，釋放正面金屬佈局空間，這是中芯N+3不具備的能力。

報告預測，中芯未來的N+4製程大約可匹配台積電N5級別的密度，N+5加上背後供電技術可達到英特爾18A級別的密度。但報告警告，每一次最佳化的難度都是累積的，直言「你可以繼續爬牆，但牆只會越來越陡。」