- 慧榮推出SM2524XT,專為AI推論與KV Cache設計
- 採用台積電6奈米製程,支援PCIe Gen5 x4
- 連續讀取速度達14 GB/s,隨機存取最高250萬IOPS
- 每瓦效能與隨機存取效能均較前代提升25%
(綜合中時電子報、聯合報報導)
全球NAND控制晶片廠慧榮科技(SIMO)29日宣布推出SM2524XT,為專為AI推論與高強度KV Cache工作負載打造的PCIe Gen5 DRAMless SSD控制晶片。該晶片採用全新四核心處理器架構,支援PCIe Gen5 x4與最高4800 MT/s的NAND介面速度,提供高達14 GB/s的連續讀取速度及最高250萬IOPS的隨機存取效能。
SM2524XT採用台積電6奈米製程,與前一代控制晶片相比,每瓦效能提升25%,隨機存取效能亦提升最高25%,能降低延遲並加快回應速度。慧榮表示,該晶片能在散熱與功耗受限環境下維持峰值隨機I/O吞吐效能。
慧榮科技終端與車用儲存事業處資深副總段喜亭指出,KV Cache已成為影響AI推論效能的關鍵技術,帶動市場對高隨機讀寫吞吐量與低延遲資料存取的需求。隨著AI PC持續演進,裝置端AI代理與大型語言模型的工作負載日益複雜,SM2524XT正是為此設計。
SM2524XT整合慧榮SCA(Separated Command Address)技術、先進FTL排程機制及NANDXtend LDPC ECC技術,以提升平行資料處理效率、降低延遲波動。
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