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中國晶片技術突破傳言 日韓股市重挫

已沉寂
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ASMLDUVEUVKOSPISK海力士三星半導體日經指數
初始報導
重點摘要
  • 市場傳中國晶片技術突破,日韓股市早盤重挫
  • 日經指數大跌逾4%,韓股暴跌近8%一度觸發熔斷
  • 三星、SK海力士股價重挫逾7%
  • 傳上海御量盛已量產EUV/DUV微影設備,挑戰ASML壟斷
  • 輝達美股下跌5%,因傳2500億美元融資擔保案
  • 市場關注蘋果、Meta等科技巨頭本週財報
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(綜合民視新聞等1家媒體報導)

週二亞洲股市早盤全面重挫,主因市場傳出中國在半導體晶片技術取得重大突破,引發投資人對全球半導體供應鏈競爭加劇的擔憂,導致日韓股市暴跌。

日經225指數早盤重挫,跌幅在3.97%至4.1%之間,指數一度跌至62,248.78點。韓國綜合股價指數(KOSPI)跌幅更為劇烈,早盤大跌7.54%至7.9%,觸及6,221.81點,一度觸發熔斷機制。科技權值股成為重災區,三星(Samsung)股價暴跌超過7%,SK海力士(SK hynix)也重挫7.5%。

此波跌勢的導火線來自科技媒體《The Information》的報導。報導指出,中國公司上海御量盛(Shanghai Yuliangsheng)已開始製造浸潤式深紫外光(DUV)微影設備,甚至有報導稱其已量產極紫外光(EUV)微影曝光機。這兩項技術長期由荷蘭半導體設備巨頭艾司摩爾(ASML)壟斷,被視為先進晶片製造的關鍵。

此外,輝達(Nvidia)週一在美股下跌5%,主因《華爾街日報》報導其正洽談為OpenAI數據中心提供約2500億美元的融資擔保,引發市場對AI建設支出循環的質疑。歐洲半導體巨頭艾司摩爾也重挫8.5%。市場同時關注本週稍晚蘋果(Apple)、Meta、微軟(Microsoft)和亞馬遜(Amazon)將公布的財報,以評估科技巨頭的資本支出計劃。

(僅單一來源報導)

追蹤報導 #2
重點摘要
  • 韓股KOSPI終場暴跌10.8%,SK海力士跌14.7%、三星跌逾13%
  • 日經225收跌2566點(3.95%),報62364點
  • 台股暴跌2030點(4.65%),創史上第三大跌點
  • 分析歸納四大因素:中國晶片突破、AI過熱、舉債風險、財報門檻高
  • 中國DRAM廠長鑫存儲上市,威脅三星、SK海力士寡占格局[1]
  • 高盛估明年科技業發債總額將升至約4000億美元[11][9]
  • 美股道瓊收紅,那斯達克微跌;布蘭特原油跌4.8%至84美元[12]
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(新增中央社、聯合報、民視新聞等9家媒體報導)

本次新增報導提供亞股收盤數據,並深入分析此波跌勢背後的四大結構性因素。

亞股收盤:韓股暴跌近11%,日經跌逾2500點

韓股KOSPI終場大跌10.8%,SK海力士跌14.7%、三星跌逾13%,兩者股價自上月高點已回檔近五成[7][4]。日經225指數收跌2566.27點(3.95%),報62364.92點[3][2]。台股加權指數暴跌2030點(4.65%),收41603點,創史上第三大跌點,台積電跌3%[5]。

四大結構性因素

**1. 中國晶片技術突破**:除DUV量產消息外,報導指出中國DRAM廠長鑫存儲(CXMT)上市成功,強化市場對中國半導體自給自足的樂觀情緒,威脅三星、SK海力士、美光的寡占格局[1]。

**2. AI過熱疑慮**:SK海力士過去12個月暴漲逾500%,引發泡沫擔憂。分析師警告AI基礎建設支出期待過高,股價易受獲利了結衝擊[11][9]。

**3. 債務風險**:科技巨頭從回購股票轉向舉債擴張AI。高盛預估明年科技業發債總額將由今年約2500億美元升至約4000億美元[11][9]。

**4. 財報門檻極高**:台積電淨利年增77%後股價反跌,顯示投資人對財報滿意門檻極高,交易商傾向提前減倉[11][9]。

其他市場動態

美股道瓊與標普500在波音、可口可樂財報支撐下收紅,那斯達克微跌0.2%[12]。川普對中東局勢釋出樂觀訊號,布蘭特原油大跌4.8%至每桶84.09美元[12]。市場關注聯準會利率決策,多數預期利率維持不變,但升息預期升溫[12]。

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